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二氧化硅塑料薄膜具备强度大、防腐蚀、耐湿冷性和介电气性能强等优势，因而二氧化硅塑料薄膜在半导体业中可以作为元器件的防护层、钝化层、隔离层等。
PECVD即等离子提高有机化学的液相堆积法是依靠微波加热或微波射频等使带有塑料薄膜成份分子的汽体水解，在部分产生等离子，而等离子有机化学活力很强，非常容易产生反映，在硅片上堆积派出所期待的塑料薄膜。因为PECVD可以在低溫标准下较快生长发育二氧化硅，因此用PECVD生长发育二氧化硅塑料薄膜被普遍使用于半导体材料光电器件、电子器件等生产制造技术中，而二氧化硅塑料薄膜的高密度性的优劣就可以直接危害着元器件的特性。
此次试验为运用BOE饱和溶液检测更改PECVD加工工艺主要参数对二氧化硅塑料薄膜高密度性的危害。
试验
1、试验设备：牛津英语Oxford PlasmaPro®100 PECVD。
2、试验衬底：单晶硅片。
3、实验步骤：
（1）用PECVD机器设备在单晶硅片上生长发育不一样情况的二氧化硅塑料薄膜；
（2）用椭偏仪各自精确测量每个标准生长发育的二氧化硅塑料薄膜薄厚并纪录；
（3）用BOE饱和溶液对全部试验片开展浸蚀；
（4）用椭偏仪各自精确测量每个标准生长发育的二氧化硅塑料薄膜薄厚并纪录；
（5）梳理所得的数据信息。
数据统计分析
1、不一样工作压力对二氧化硅塑料薄膜的危害
由下列数据图表可看得出伴随着工作压力的提高，相匹配反映的气体浓度值提升，因此二氧化硅堆积速度变快；因为较低工作压力下，真空泵可快速将反映室中的氮气和氢气吸走，使转化成的二氧化硅塑料薄膜中氮氢成分更低，高密度性更强，从图表中可看得出高密度性在600~800mt标准下为最好。
堆积速度曲线图 腐蚀深度曲线图
2、不一样微波射频输出功率对二氧化硅塑料薄膜的危害
由下列数据图表可看得出伴随着微波射频输出功率的提高，反映汽体中可溶性正离子动能提升，硅离子和氧离子融合更快，因此二氧化硅堆积速度变快；与此同时，转化成的二氧化硅塑料薄膜中氮氢成分更低，高密度性更强，从图形中可看得出高密度性随微波射频输出功率增加而越来越好。
堆积速度曲线图 腐蚀深度曲线图
3、不一样衬底溫度对二氧化硅塑料薄膜的危害
由下列数据图表可看得出伴随环境温度的提高，绝热过程下相匹配反映的气体浓度值减少，因此二氧化硅堆积速度减缓；因为溫度较高时，生成物更非常容易吸咐，并且塑料薄膜中包含的H更加容易参加反映释放出来，使转化成的二氧化硅塑料薄膜中氮氢成分更低且塑料薄膜内缺点较少，高密度性更强，从图形中可看得出高密度性随衬底溫度提升而越来越好。
堆积速度曲线图 腐蚀深度曲线图
总结
以上试验选用BOE饱和溶液浸蚀的方法，科学研究了工作压力、微波射频输出功率、衬底溫度对PECVD生长发育的二氧化硅塑料薄膜高密度性的危害，得到了三组主要参数对钙化性的危害发展趋势，改进了二氧化硅塑料薄膜的高密度性。
伴随着半导体芯片的发展趋势，对元器件特性的需求明显提高，高密度性好的二氧化硅可以提升半导体元器件的特性，因此制取高高密度性的二氧化硅塑料薄膜刻不容缓。
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