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真空镀膜技术相关参数测量——膜厚的计算及测量

70net永乐高 浏览次数:1793 分类:行业资讯

《真空镀膜技术》专题讲座早已走进了还有一期,感激诸位的支撑点!你们的支撑点是大家坚持不懈的驱动力。上一期大家说的是真空镀膜机,这期大家就而言说,膜厚的测算及精确测量。

膜厚的测算

在真空泵中汽体分子结构的真空磁导率为:L = 0.65 / p (cm),在其中p的企业是Pa。当p = 1.3×10-3 Pa时,L≈500 cm。L>>硅片到挥发源的间距,分子结构作平行线主题活动。

设挥发源为点挥发源,单位时间内根据一切方位一立体角dω的品质为:

挥发成分抵达任一方位总面积元ds品质为:

设挥发物的相对密度为ρ,单位时间淀积在ds上的膜厚为t,则:

较为以上两式可获得:

塑料薄膜薄厚的精确测量

  • 干预光学显微镜法

干涉条纹间隔Δ0,花纹挪动Δ,阶梯高为

  • 石英石晶振电路法

广泛运用于薄膜淀积全过程中薄厚的即时精确测量,关键运用于淀积速率,薄厚的检测,还能够相反(与电子信息技术融合)操纵成分挥发或熔炼的速度,进而完成针对淀积全过程的积极操纵。

 

 


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