发明专利气体阻隔性膜

加温制冷安装160以测量热物质的溫度，将热物质加温或是制冷至储存的设置溫度而向底座105供货的方法组成。被供货的热物质在底座105的內部流动性，加温或是制冷底座105后回到到加温制冷安装160。这时，热物质的气温比设置溫度高或低，加温制冷安装160将热物质加温或是制冷至设置溫度，向底座105供货。因此制冷物质在底座与加温制冷安装160中间循环系统，底座105被供货的设置溫度的热物质加温或是制冷。

真空泵槽102与真空泵排气管管理体系107联接，在行驶该真空泵等离子CVD安装101逐渐涂膜解决前，事先对真空泵槽102的内部结构开展真空泵排气管，而且将热物质加温使其从室内温度提温至设置溫度，将设置溫度的热物质向底座105供货。底座105在应用逐渐时为室内温度，一旦被供货设置溫度的热物质，则底座105提温。

使设置溫度的热物质循环系统毫无疑问時间后，边保持真空泵槽102内的真空泵氛围边向真空泵槽102内搬入做为涂膜目标的板材110，配备在底座105上。

在负极电级103的与底座105对置的面产生有好几个喷头(孔)。

负极电级103与汽体导进管理体系108联接，倘若从汽体导进管理体系108向负极电级103导进CVD汽体，则从负极电级103的喷头向真空泵氛围的真空泵槽102内喷出来CVD汽体。

负极电级103与高压电源109联接，底座105和真空泵槽102与接地装置电位差联接。

倘若从汽体导进管理体系108向真空泵槽102内供货CVD汽体，将毫无疑问溫度的热物质从加温制冷安装160向底座105供货，与此同时运行高压电源109，对阴极电级103另加高频率工作电压，则产生被导进的CVD汽体的等离子。等离子中被活性的CVD汽体抵达底座105上的板材110的外形时，做为塑料薄膜的第1隔绝层在板材110的外型生长发育。

适度地设置这时的底座105与负极电级103的间距。

此外，材料汽体和溶解汽体的总流量考虑到材料汽体和溶解汽体类型等适度地设置。做为一个执行方法，材料汽体的总流量为30～300sccm，溶解汽体的总流量为100～1000sccm。

塑料薄膜生长发育中，将毫无疑问溫度的热物质从加温制冷安装160向底座105供货，底座105被热物质加温或是制冷，以保持在毫无疑问溫度的情况下产生塑料薄膜。一样平时产生塑料薄膜时的生长发育溫度的最低值溫度由塑料薄膜的膜质决策，限制溫度由在板材110上早已产生的塑料薄膜的损害的批准范畴决策。最低值溫度、限制溫度依据产生的塑料薄膜的材料、早已产生的塑料薄膜的材料等而不一样，但为了更好地保证汽体高阻隔高的膜质，甄选最低值溫度为50℃以上，限制溫度为板材的耐高温溫度下列。

事先算出用真空泵等离子CVD法产生的塑料薄膜的膜质与涂膜溫度的相关关联和涂膜目标物(板材110)遭受的损害与涂膜溫度的相关关联，而决策最低值溫度·限制溫度。比如，真空泵等离子CVD工艺流程中的板材110的溫度甄选为50～250℃。

除此之外，事先测量对阴极电级103另加13.56MHz以上的高频率工作电压而产生等离子时的向底座105供货的热物质的环境温度与板材110的环境温度的关联，为了更好地在真空泵等离子CVD工艺流程里将板材110的溫度保持在最低值溫度～限制溫度，算出向底座105供货的热物质的溫度。

比如，设置成储存最低值溫度(这儿为50℃)、将温控在最低值溫度以上的环境温度的热物质向底座105供货的方法。从底座105流回的热物质被加温或是制冷，50℃的设置溫度的热物质被供货到底座105。比如，做为CVD汽体，供货氯硅烷汽体、二氧化氮和N2的混合气，在板材110被保持在最低值溫度～限制溫度的气温标准的情况下，产生SiN膜。

在真空泵等离子CVD安装101运行后，底座105为室内温度，从底座105向加温制冷安装160流回的热物质的气温比设置温度低。因而，运行后，加温制冷安装160将流回的热物质加温而提温至设置溫度，向底座105供货。这时，底座105和板材110被热物质加温而提温，板材110被保持在最低值溫度～限制溫度的范畴。

倘若在双片板材110上持续产生塑料薄膜，则因从等离子注入的热使底座105提温。这时，从底座105向加温制冷安装160流回的热物质比最低值溫度(50℃)高，因此加温制冷安装160制冷热物质，将设置溫度的热物质向底座105供货。从而，可以边将板材110保持在最低值溫度～限制溫度的范畴边产生塑料薄膜。

如许，加温制冷安装160在流回的热物质的气温比设置温度低时将热物质加温，比设置溫度高时将热物质制冷，任一状况下均将设置溫度的热物质向底座供货，其实际效果，板材110被保持在最低值溫度～限制溫度的温度范围。

以要求膜厚产生塑料薄膜后，将板材110搬离到真空泵槽102的外界，将未涂膜的板材110搬入真空泵槽102内，与以上一样地边供货设置溫度的热物质边产生塑料薄膜。

此外，做为本产品的行驶CVD法产生的第1隔绝层的甄选的一个执行方法，甄选第1隔绝层的组成原素中带有碳、硅和氧。更甄选的方法是满足下列的(i)～(iii)要素的层。

(i)在表露主要表现第1隔绝层的膜厚方位的距以上第1隔绝层外型的间距(L)与相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的硅原子的量的比例(硅的分子比)的相互关系的硅遍布曲线图，表露主要表现以上L与相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的氧分子的量的比例(氧的分子比)的相互关系的氧遍布曲线图，及其表露主要表现以上L与相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的碳原子的量的比例(碳的分子比)的相互关系的碳遍布曲线图中，在以上第1隔绝层的膜厚的90％以上(限制：100％)的地区，按(氧的分子比)、(硅的分子比)、(碳的分子比)的次序逐渐缩小(分子之比O＞Si＞C)；

(ii)以上碳遍布曲线图具备最少2个极大值；

(iii)以上碳遍布曲线图中的碳的分子比的最高值和极小值的差的平方根(下列，也通称为“C_max－C_min差”)为3at％以上。

下列，对(i)～(iii)要素开展表明。

该第1隔绝层，甄选(i)在表露主要表现以上第1隔绝层的膜厚方位的距以上第1隔绝层外型的间距(L)与相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的硅原子的量的比例(硅的分子比)的相互关系的硅遍布曲线图，表露主要表现以上L与相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的氧分子的量的比例(氧的分子比)的相互关系的氧遍布曲线图，及其表露主要表现以上L与相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的碳原子的量的比例(碳的分子比)的相互关系的碳遍布曲线图中，在以上第1隔绝层的膜厚的90％以上(限制：100％)的地区，按(氧的分子比)、(硅的分子比)、(碳的分子比)的次序逐渐减少(分子之比O＞Si＞C)。不满足以上的标准(i)时，获得的汽体高阻隔膜的汽体高阻隔、弯折性不经意不充足。这儿，以上碳遍布曲线图中，以上(氧的分子比)、(硅的分子比)和(碳的分子比)的影响更甄选在第1隔绝层的膜厚的最少90％以上(限制：100％)的地区满足，进一步甄选在最少93％以上(限制：100％)的地区满足。这儿，该第1隔绝层的膜厚的最少90％以上在第1隔绝层中可以不持续，仅在90％以上的一部分满足以上的关联就可以。

此外，该第1隔绝层，甄选(ii)以上碳遍布曲线图具备最少2个极大值。更甄选该第1隔绝层的以上碳遍布曲线图具备最少3个极大值，进一步甄选具备最少4个极大值，还可以具备5个以上。以上碳遍布曲线图的极大值为1个下列时，使获得的汽体高阻隔膜弯折时的汽体高阻隔不经意不充足。应予表明，碳遍布曲线图的极大值的限制沒有格外限制，比如，甄选为30下列，更甄选为25下列，极大值的数量是由第1隔绝层的膜厚决策的，因而不可以一概而论。

这儿，具备最少3个极大值时，以上碳遍布曲线图具备的1个极大值和与该极大值临接的极大值在以上第1隔绝层的膜厚方位的距以上第1隔绝层外型的间距(L)的差的平方根(下列，也通称为“极大值间的间距”)均甄选为200nm下列，更甄选为100nm下列，格外甄选为75nm下列。倘若为如许的极大值间的间距，则在第1隔绝层中碳原子比多的位置(连续函数)以合理的周期时间存有，因而可以对第1隔绝层授予适度的弯折性，可以更有商业用地抑制·避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙。应予表明，本使用说明中“极大值”就是指相应于在以上第1隔绝层的膜厚方位的距以上第1隔绝层外型的间距(L)的原素的分子比的连续函数或是极小值。此外，本使用说明中“连续函数”是唆使距第1隔绝层外型的间距变化时原素(氧、硅或是碳)的分子比的值从提高向减少变化的点，且从该点使在第1隔绝层的膜厚方位的距第1隔绝层外型的间距进一步在4～20nm的范畴变化的部位的原素的分子比的值与该点的原素的分子比的值对比减少3at％以上。即，在4～20nm的范畴变化时，只需在任一范畴原素的分子比的值减少3at％以上就可以。一样，本使用说明中“极小值”是唆使距第1隔绝层外型的间距变化时原素(氧、硅或是碳)的分子比的值从减少向提高变化的点，且从该点使在第1隔绝层的膜厚方位的距第1隔绝层外型的间距进一步在4～20nm的范畴变化的部位的原素的分子比的值与该点的原素的分子比的值对比提高3at％以上。即，在4～20nm的范畴变化时，只需在任一范畴原素的分子比的值提高3at％以上就可以。这儿，由于极大值间的间距越小，抑制/避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙的发展結果越高，因此具备最少3个极大值时的极大值间的距離的最低值沒有格外限制，若考虑到第1隔绝层的弯折性、缝隙的抑制/避免結果、热变形性等，甄选为10nm以上，更甄选为30nm以上。

除此之外，该第1隔绝层，甄选(iii)以上碳遍布曲线图中的碳的分子比的最高值和极小值的差的平方根(下列，也通称为“C_max－C_min差”)为3at％以上。以上平方根小于3at％时，使获得的汽体高阻隔膜弯折时，汽体高阻隔不经意不充足。C_max－C_min差甄选为5at％以上，更甄选为7at％以上，格外甄选为10at％以上。根据变成以上C_max－C_min差，可以进一步发展汽体高阻隔。应予表明，本使用说明中，“最高值”就是指在各原素的遍布曲线图中变为较大时的各原素的分子比，是连续函数中最多的值。一样，本使用说明中，“极小值”就是指在各原素的遍布曲线图中变身最钟头的各原素的分子比，是极小值中最少的值。这儿，C_max－C_min差的限制沒有格外限制，若考虑到抑制/避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙的发展結果等，甄选为50at％下列，更甄选为40at％下列。

本产品中，以上第1隔绝层的以上氧遍布曲线图甄选具备最少1个极大值，更甄选具备最少2个极大值，进一步甄选具备最少3个极大值。以上氧遍布曲线图具备最少1个极大值时，使获得的汽体高阻隔膜弯折时的汽体高阻隔与不具备极大值的汽体高阻隔膜相较为进一步发展。应予表明，氧遍布曲线图的极大值的限制沒有格外限制，比如，甄选为20下列，更甄选为10下列。有关氧遍布曲线图的极大值的数量，也是有由第1隔绝层的膜厚决策的一部分，因而不可以一概而论。此外，具备最少3个极大值时，以上氧遍布曲线图具备的1个极大值和与该极大值临接的极大值在以上第1隔绝层的膜厚方位的距第1隔绝层外型的距離的差的平方根均甄选为200nm下列，更甄选为100nm下列。倘若为如许的极大值间的间距，则可以更有商业用地抑制·避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙。这儿，具备最少3个极大值时的极大值间的距離的最低值沒有格外限制，若考虑到抑制/避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙的发展結果、热变形性等，甄选为10nm以上，更甄选为30nm以上。

除此之外，以上第1隔绝层在以上氧遍布曲线图中的氧的分子比的最高值和极小值的差的平方根(下列，也通称为“O_max－O_min差”)甄选为3at％以上，更甄选为6at％以上，进一步优化为7at％以上。倘若以上平方根为3at％以上，则使获得的汽体高阻隔膜的膜弯折时的汽体高阻隔进一步发展。这儿，O_max－O_min差的限制沒有格外限制，从抑制/避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙的发展結果等考虑到，甄选为50at％下列，更甄选为40at％下列。

以上第1隔绝层在以上硅遍布曲线图中的硅的分子比的最高值和极小值的差的平方根(下列，也通称为“Si_max－Si_min差”)甄选为10at％下列，更甄选为7at％下列，进一步优化为3at％下列。以上平方根为10at％下列时，获得的汽体高阻隔膜的汽体高阻隔进一步发展。这儿，由于Si_max－Si_min差越小，抑制/避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙的发展結果越高，因此Si_max－Si_min差的最低值沒有格外限制，若考虑到汽体高阻隔等，甄选为1at％以上，更甄选为2at％以上。

甄选在第1隔绝层的膜厚方位的碳和氧分子的累计量几乎匀速运动。从而，第1隔绝层充分发挥合理的弯折性，更有商业用地抑制·避免汽体高阻隔膜在弯折时造成缝隙。更详尽来讲，在表露主要表现第1隔绝层的膜厚方位的距该第1隔绝层外型的间距(L)与相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的氧分子和碳原子的累计量的比例(氧和碳的分子比)的相互关系的氧碳遍布曲线图中，以上氧碳遍布曲线图中的氧和碳的分子比的累计的最高值和极小值的差的平方根(下列，也通称为“OC_max－OC_min差”)甄选小于5at％，更甄选小于4at％，进一步甄选小于3at％。倘若以上平方根小于5at％，则获得的汽体高阻隔膜的汽体高阻隔进一步发展。应予表明，针对OC_max－OC_min差的最低值，由于OC_max－OC_min差越低越好，因此为0at％，但只需为0.1at％以上就够。

以上硅遍布曲线图、以上氧遍布曲线图、以上碳遍布等值线和以上氧碳遍布曲线图可以借助如下所示方法做成，即根据并且用X射线光电子能谱法(XPS：Xray Photoelectron Spectroscopy)的测量和氩等了解汽体正离子磁控溅射，在使试件內部外露的与此同时先后开展外型构成剖析，根据说白了的XPS深层截面(XPS depth profile)剖析而做成。根据如许的XPS深层截面剖析而获得的遍布曲线图比如可以将纵坐标设成各原素的分子比(企业：at％)、将横坐标设为蚀刻加工時间(磁控溅射時间)而做成。应予表明，在如许将横坐标设为蚀刻加工時间的原素的遍布曲线图中，蚀刻加工時间与膜厚方位中以上第1隔绝层的膜厚方位的距以上第1隔绝层外型的间距(L)大概相关，因而，做为“第1隔绝层的膜厚方位的距第1隔绝层外型的间距”，可以选用由XPS深层截面剖析时采取的蚀刻加工效率与蚀刻加工時间的关联计算的距第1隔绝层外型的间距。应予表明，硅遍布曲线图、氧遍布曲线图、碳遍布曲线图和氧碳遍布曲线图可以选用以下测量标准做成。

(测量标准)

蚀刻加工正离子种：氩(Ar )

蚀刻加工速率(SiO₂苛化膜转换值)：0.05nm/sec

蚀刻加工间距(SiO₂转换值)：10nm

X射线光电子能谱安装：Thermo Fisher Scientific公司制，设备类型名字“VG Theta Probe”

直射X射线：单晶体分光AlKα

X射线的色斑以及规格：800×400μm的椭圆型。

行驶以上的等离子CVD法产生的第1隔绝层的膜厚(干躁膜厚)只需满足以上(i)～(iii)，就沒有格外限制。比如，该第1隔绝层的每1层的膜厚甄选为20～3000nm，更甄选为50～2500nm，格外甄选为100～1000nm。倘若为如许的膜厚，则汽体高阻隔膜充分发挥出色的汽体高阻隔和抑制/避免弯折时的缝隙造成的結果。应予表明，行驶以上的等离子CVD法产生的第1隔绝层由2层以上组成时，甄选各第1隔绝层具备如上所述的膜厚。

本产品中，从产生膜面团队匀称且具备出色汽体高阻隔的第1隔绝层的思想观点考虑到，甄选以上第1隔绝层在膜面方位(与第1隔绝层的外型平行面的方位)本质上一样。这儿，第1隔绝层在膜面方位本质上一样就是指根据XPS深层截面剖析对第1隔绝层的膜面的随意2个部位的测量部位做成以上氧遍布曲线图、以上碳遍布等值线和以上氧碳遍布曲线图时，在该随意2个部位的测量部位受到的碳遍布曲线图所具备的极大值的数量类同，各碳遍布曲线图中的碳的分子比的最高值和极小值的差的平方根彼此之间类同或差为5at％之内。

除此之外，本产品中，甄选以上碳遍布曲线图本质上持续。这儿，碳遍布曲线图本质上持续就是指不包括碳遍布曲线图中的碳的分子比不持续变化的一部分，详尽来讲，在表露主要表现由蚀刻加工速率和蚀刻加工時间计算的以上第1隔绝层中最少1层在膜厚方位的距该第1隔绝层外型的间距(x，企业：nm)与碳的分子比(C，企业：at％)的相互关系中，满足由以下数学思维式1表露主要表现的标准。

(dC/dx)≤0.5…数学思维式1

本产品的汽体高阻隔膜中，如数满足以上标准(i)～(iii)的第1隔绝层可以仅具有1层，还可以具有2层以上。而且，具备2层以上的如许的第1隔绝层时，好几个第1隔绝层的材料可以类同还可以不一样。

在以上硅遍布曲线图、以上氧遍布等值线和以上碳遍布曲线图中，硅的分子比、氧的分子比和碳的分子比在该第1隔绝层的膜厚的90％以上的地区满足以上(i)表露主要表现的标准时，以上第1隔绝层中的相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的硅原子的成分的分子比例甄选为20～45at％，更甄选为25～40at％。此外，以上第1隔绝层中的相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的氧分子的成分的分子比例甄选为45～75at％，更甄选为50～70at％。而且，以上第1隔绝层中的相对性于硅原子、氧分子和碳原子的累计量的碳原子的成分的分子比例甄选为0.5～25at％，更甄选为1～20at％。

本产品中，第1隔绝层的产生方式沒有格外限制，可以选用与过去一样的方式或是经适度地装饰后应用。第1隔绝层甄选行驶化学气相沉积(CVD)法，尤其是等离子化学气相沉积法(等离子CVD、PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition)，下列也通称为“等离子CVD法”)产生，更甄选行驶如下所示的等离子CVD法产生，将要板材配备在一对涂膜辊上，在以上一对涂膜辊间充放电而造成等离子。

下列，对行驶将板材配备在一对涂膜辊上并在以上一对涂膜辊间充放电而造成等离子的等离子CVD法在板材上产生第1隔绝层的方式 开展表明。

《行使等离子体CVD法形成第1阻隔层的方法》

做为在板材的外型上产生本产品的第1隔绝层的方式，从汽体高阻隔的思想观点考虑到，甄选选用等离子CVD法。应予表明，以上等离子CVD法可以是彭宁充放电等离子方法的等离子CVD法。

此外，等离子CVD法中造成等离子时，甄选在好几个涂膜辊中间的室内空间造成等离子充放电，更甄选应用一对涂膜辊，在该一对涂膜辊上各自配备板材，在一对涂膜辊间充放电而造成等离子。如许，根据应用一对涂膜辊，并在该一对涂膜辊上配备板材后在该一对涂膜辊间充放电，进而在溶胀时可以将存有于一个涂膜辊上的板材的外型一部分涂膜，与此同时也将存有于另一个涂膜辊上的板材的外型一部分涂膜，可以有效地生产制造塑料薄膜，并且与通常的不应用辊的等离子CVD法像较为可以使涂膜速率增倍，而且可以涂膜为大概类同构造的膜，因而可以使以上碳遍布曲线图中的极大值最少增倍，可以有效地产生如数满足以上标准(i)～(iii)的层。

此外，如许在一对涂膜辊间充放电时，甄选使以上一对涂膜辊的正负极更替翻转。而且，做为如许的等离子CVD法中采用的涂膜汽体，甄选带有有机硅材料化学物质和氧，该涂膜汽体中的氧的成分甄选小于将以上涂膜汽体中的如数以上有机硅材料化学物质彻底空气氧化需要的基础理论氧浓度。此外，本产品的汽体高阻隔膜中，甄选以上第1隔绝层为行驶持续的涂膜加工工艺产生的层。

此外，本产品的汽体高阻隔膜，从生产效率的思想观点考虑到，甄选以卷对卷方法在以上板材的外型上产生以上第1隔绝层。此外，做为行驶如许的等离子CVD法生产制造第1隔绝层时可采用的安装，沒有格外限制，甄选为具有最少一对涂膜辊和等离子开关电源且可在以上一对涂膜辊间充放电的组成的安装，比如，应用图2一样的生产制造安装时，还可以行驶等离子CVD法并以卷对卷方法生产制造。

下列，参考图2对行驶等离子CVD法产生第1隔绝层的方式 开展更详尽的表明，该等离子CVD法是将板材配备在一对涂膜辊上，并在以上一对涂膜辊间充放电而造成等离子。应予表明，图2是表露主要表现为了更好地行驶本生产制造方式生产制造第1隔绝层而可以甄选应用的生产制造安装的一个事例的平面图。此外，下列的详细说明和图下中，对类同或是相当的因素标明类同的标记，省去反复的表明。

图2一样的生产制造安装31具有送出去辊32、运输辊33、34、35、36、涂膜辊39、40、汽体供货管41、等离子造成用开关电源42、设定在涂膜辊39和40的里面的电磁场造成安装43、44及其放卷辊45。此外，如许的生产制造安装中，最少涂膜辊39、40、汽体供货管41、等离子造成用开关电源42、电磁场造成安装43、44配备在省去了图例的真内腔房间内。而且，如许的生产制造安装31中以上真内腔室与省去了图例的机械泵联接，行驶该机械泵可以适度地调节真内腔房间内的工作压力。

如许的生产制造安装中，为了更好地使一对涂膜辊(涂膜辊39和涂膜辊40)做为一对的对置电级充分发挥作用，使各涂膜辊各自与等离子造成用开关电源42联接。因而，如许的生产制造安装31中，根据由等离子造成用开关电源42供货电力工程，可以在涂膜辊39与涂膜辊40中间的室内空间充放电，从而可以在涂膜辊39与涂膜辊40中间的室内空间造成等离子。应予表明，如许，将涂膜辊39和涂膜辊40也做为电级应用时，可以合理地变动其材料、设计方案以促使还可以做为电级应用。此外，如许的生产制造安装中，一对涂膜辊(涂膜辊39和40)甄选以其中间轴在类同平面图上大概平行面的方法配备。根据如许配备一对涂膜辊(涂膜辊39和40)，可以使涂膜速率增倍，而且可以涂膜为类同构造的膜，因而以上碳遍布曲线图中的极大值最少可以增倍。并且，选用如许的生产制造安装，可以行驶CVD法在板材2的外型上产生第1隔绝层3，还能在涂膜辊39上使第1隔绝层成份堆积在板材2的外型上，与此同时在涂膜辊40上使第1隔绝层成份沉积在板材2的外型上，因而可以在板材2的外型上高地产生第1隔绝层。

在涂膜辊39和涂膜辊40的內部各自配有固定不动的电磁场造成安装43和44令其涂膜辊转动或不转动。

各自建在涂膜辊39和涂膜辊40的电磁场造成安装43和44甄选以如下所示方法配备磁场，即，磁感线不跨过建在一方的涂膜辊39的电磁场造成安装43与建在另一方的涂膜辊40的电磁场造成安装44中间，各电磁场造成安装43、44产生几乎合闭的磁控制回路。根据设定如许的电磁场造成安装43、44，可以在各涂膜辊39、40的对置侧外型周边推动磁感线膨凸的电磁场的产生，在该突出部非常容易集聚等离子，在可以发展涂膜听从这方面出色。

此外，各自建在涂膜辊39和涂膜辊40的电磁场造成安装43、44在各压辊方位具有长的运动场状的磁场，甄选以一方的电磁场造成安装43与另一方的电磁场造成安装44相对性的磁场为类同正负极的方法配备磁场。根据设定如许的电磁场造成安装43、44，针对各电磁场造成安装43、44，磁感线不容易跨过对置的辊侧的电磁场造成安装，非常容易沿压辊的长短方位在朝向对置室内空间(充放电地区)的辊外型周边产生运动场状的电磁场，可以将等离子集聚在该电磁场，因而在应用沿辊总宽方位倒丝机的幅宽的板材2可以有商业用地产生做为蒸表层的镀膜的第1隔绝层3这方面出色。

做为涂膜辊39和涂膜辊40，可适度地应用公知的辊。做为如许的涂膜辊39和40，从更高效率地产生塑料薄膜的思想观点考虑到，甄选应用直徑类同的涂膜辊。此外，做为如许的涂膜辊39和40的直徑，从充放电标准、腔室的室内空间等思想观点考虑到，甄选直徑为300～1000mmφ的范畴，格外甄选为300～700mmφ的范畴。倘若涂膜辊的直徑为300mmφ以上，则等离子充放电室内空间不会改变小，因而生产效率都不劣变，可以防止短期内内等离子充放电的如数发热量增加于板材2，可以可以减少对板材2的损害，因此甄选。另一方面，倘若涂膜辊的直徑为1000mmφ下列，则在也包含等离子充放电室内空间的匀称性等以内的安装设计方案上，可以维持应用性，因此甄选。

如许的生产制造安装31中，以板材2的外型彼此之间对置的方法，在一对涂膜辊(涂膜辊39和涂膜辊40)上配备板材2。根据如许配备板材2，进而在涂膜辊39与涂膜辊40中间的对置室内空间开展充放电而造成等离子时，可以对存有于一对涂膜辊间的板材2的各外型与此同时涂膜。即，选用如许的生产制造安装，并行驶等离子CVD法，可以在涂膜辊39上使第1隔绝层成份沉积在板材2的外型上，而且在涂膜辊40上使第1隔绝层成份沉积，因而可以在板材2的外型上高地产生第1隔绝层。

做为如许的生产制造安装中采用的送出去辊32和运输辊33、34、35、36，可适度地应用公知的辊。此外，做为放卷辊45，只需能将在板材2上产生有第1隔绝层3的汽体高阻隔膜1放卷就可以，沒有格外限制，可适度地应用公知的辊。

此外，做为汽体供货管41和机械泵，可适度地应用可以以规范的速率供货或是排出来材料汽体等的安装。

此外，做为汽体供货组织的汽体供货管41甄选设定在涂膜辊39与涂膜辊40中间的对置室内空间(充放电地区；涂膜地区)的一方，做为真空泵排气管组织的机械泵(未图例)甄选设定在以上对置室内空间的另一方。根据如许配备做为汽体供货组织的汽体供货管41和做为真空泵排气管组织的机械泵，可以向涂膜辊39与涂膜辊40中间的对置室内空间高效率地供货涂膜汽体，在可以发展涂膜听从这方面出色。

除此之外，做为等离子造成用开关电源42，可适度地应用公知的等离子造成安装的开关电源。如许的等离子造成用开关电源42向与其说联接的涂膜辊39和涂膜辊40供货电力工程，进而可以将他们做为用以充放电的对置电级应用。做为如许的等离子造成用开关电源42，由于可以更高效率地执行等离子CVD，因而甄选行驶可以使以上一对涂膜辊的正负极更替翻转的开关电源(交流电等)。此外，做为如许的等离子造成用开关电源42，由于可以更高效率地执行等离子CVD，因而更甄选可以使另加电力工程为100W～10kW且使沟通交流的工作频率为50Hz～500kHz的开关电源。此外，做为电磁场造成安装43、44，可适度地应用公知的电磁场造成安装。而且，做为板材2，除本产品中采用的板材之外，还能够应用事先产生有第1隔绝层3的板材。如许，根据应用事先产生有第1隔绝层3的板材做为板材2，还可以提高第1隔绝层3的膜厚。

根据应用如许的图2一样的生产制造安装31，比如，适度地调节材料汽体的类型、等离子造成安装的电级鼓的电力工程、真内腔房间内的工作压力、涂膜辊的直徑及其膜(板材)的运输速率，可以生产制造本产品的第1隔绝层。即，根据应用图2一样的生产制造安装31，将涂膜汽体(材料汽体等)向真内腔房间内供货，与此同时在一对涂膜辊(涂膜辊39和40)间造成充放电，进而使以上涂膜汽体(材料汽体等)被等离子溶解，在涂膜辊39上的板材2的外型上和涂膜辊40上的板材2的外型上行驶等离子CVD法产生第1隔绝层3。这时，在涂膜辊39、40的沿压辊的长短方位朝向对置室内空间(充放电地区)的辊外型周边产生运动场状的电磁场，使等离子集聚在电磁场。因而，板材2根据图2中的涂膜辊39的A地址和涂膜辊40的B地址时，在第1隔绝层产生碳遍布曲线图的连续函数。与此相对性，板材2根据图2中的涂膜辊39的C1和C2地址及其涂膜辊40的C3和C4地址时，在第1隔绝层产生碳遍布曲线图的极小值。因而，针对2个涂膜辊，通常产生5个极大值。此外，第1隔绝层的极大值间的间距(碳遍布曲线图所具备的1个极大值和与该极大值临接的极大值在第1隔绝层的膜厚方位的距第1隔绝层外型的间距(L)的差的平方根)可行驶涂膜辊39、40的转动速率(板材的运输速率)调整。应予表明，开展如许的涂膜时，板材2各自被送出去辊32、涂膜辊39等运输，从而行驶卷对卷方法的持续涂膜加工工艺在板材2的外型上产生第1隔绝层3。

做为从以上汽体供货管41向对置室内空间供货的涂膜汽体(材料汽体等)，可独立或是混和应用2种以上的材料汽体、反映汽体、载气、充放电汽体。做为第1隔绝层3的建立中采用的以上涂膜汽体中的材料汽体，可依据产生的第1隔绝层3的材料适度地挑选应用。做为如许的材料汽体，比如，可应用带有硅的有机硅材料化学物质、带有碳的有机物汽体。做为如许的有机硅材料化学物质，比如可列举六羟基二二甲基硅氧烷(HMDSO)、六羟基二氯硅烷(HMDS)、1,1,3,3-四羟基二二甲基硅氧烷、甲基丙烯酸酯三羟基氯硅烷、羟基三羟基氯硅烷、六羟基二氯硅烷、羟基氯硅烷、二甲基氯硅烷、三羟基氯硅烷、二乙基氯硅烷、丙基氯硅烷、苯基氯硅烷、甲基丙烯酸酯三乙氧基氯硅烷、甲基丙烯酸酯三叔丁基氯硅烷、四叔丁基氯硅烷(TMOS)、四乙氧基氯硅烷(TEOS)、苯基三叔丁基氯硅烷、羟基三乙氧基氯硅烷、八羟基环四二甲基硅氧烷。这种有机硅材料化学物质中，从化学物质的可操作性和获得的第1隔绝层的汽体高阻隔等特点的思想观点考虑到，甄选六羟基二二甲基硅氧烷、1,1,3,3-四羟基二二甲基硅氧烷。这种有机硅材料化学物质可以直接应用或是组成2种以上应用。此外，做为带有碳的有机物汽体，比如，可例示甲烷气体、己烷、丁二烯、乙炔气体。这种有机硅材料化学物质汽体、有机物汽体依据第1隔绝层3的类型挑选合理的材料汽体。

此外，做为以上涂膜汽体，除以上材料汽体之外，还可应用反映汽体。做为如许的反映汽体，可适度地挑选应用与以上材料汽体反映而变成金属氧化物、氮化合物等无机物的汽体。做为用以产生金属氧化物的反映汽体，比如，可应用氧、活性氧。此外，做为用以产生氮化合物的反映汽体，比如，可应用氮、氨。这种反映汽体可以直接应用或是组成2种以上应用，比如产生氮氧化合物时，可以组成应用用以产生金属氧化物的反映汽体和用以产生氮化合物的反映汽体。

做为以上涂膜汽体，为了更好地将以上材料汽体向真内腔房间内供货，依据必需，可以应用载气。而且，做为以上涂膜汽体，为了更好地造成等离子充放电，依据必需，可以应用充放电用汽体。做为如许的载气和充放电用汽体，可适度地应用公知的汽体，比如，可应用氦、氩、氖、氙等了解汽体；氢。

如许的涂膜汽体带有材料汽体和反映汽体时，做为材料汽体与反映混合气体的比例，甄选反映混合气体的比例与为了更好地使材料汽体与反映汽体完全反应而理论上需要的反映混合气体的量的比例对比，但是量过多。根据使反映混合气体的比例但是量过多，进而在行驶产生的第1隔绝层3可以获得出色的高阻隔、耐弯折性这方面出色。此外，以上涂膜汽体带有以上有机硅材料化学物质和氧时，甄选为将以上涂膜汽体中的如数以上有机硅材料化学物质彻底空气氧化需要的基础理论氧浓度下列。

下列，做为以上涂膜汽体，应用带有做为材料汽体的六羟基二二甲基硅氧烷(有机硅材料化学物质、HMDSO、(CH₃)₆Si₂O)和做为反映混合气体的氧(O₂)的汽体，例举生产制造硅-氧系的塑料薄膜的状况为例子，对涂膜汽体中的材料汽体与反映混合气体的甄选比例等开展更详尽的表明。

行驶等离子CVD使带有做为材料汽体的六羟基二二甲基硅氧烷(HMDSO、(CH₃)₆Si₂O)和做为反映混合气体的氧(O₂)的涂膜汽体反映而生产制造硅-氧系的塑料薄膜时，由该涂膜汽体造成以下反应方程1表露主要表现的反映，转化成二氧化硅。

（CH₃）₆Si₂O 12O₂→6CO₂ 9H₂O 2SiO₂…反应方程1

如许的化学反应中，将六羟基二二甲基硅氧烷1克分子彻底空气氧化需要的氧浓度为12克分子。因而，涂膜汽体中，相对性于六羟基二二甲基硅氧烷1克分子带有12克分子以上的氧进而其彻底反合时，产生匀称的二氧化硅膜(未找到碳遍布曲线图)，因而没法产生满足如数以上标准(i)～(iii)的第1隔绝层。因而，本产品中，产生第1隔绝层时，为了更好地使以上反应方程1的化学反应不彻底开展，甄选相对性于六羟基二二甲基硅氧烷1克分子，使氧浓度低于有机化学计量检定比的12克分子。应予表明，实际的等离子CVD房间内的化学反应中，由于材料的六羟基二二甲基硅氧烷和反映混合气体的氧从汽体采购部向涂膜地区供货而涂膜，因此就算反映混合气体的氧的克分子量(总流量)为材料的六羟基二二甲基硅氧烷的克分子量(总流量)的12倍的克分子量(总流量)，具体中也没法彻底开展反映，觉得使氧的成分相比于有机化学计量检定比多很多地供货，反映才初次完成(比如，为了更好地行驶CVD彻底空气氧化而获得二氧化硅，不经意使氧的克分子量(总流量)为材料的六羟基二二甲基硅氧烷的克分子量(总流量)的20倍以上水平)。因而，氧的克分子量(总流量)相对性于材料的六羟基二二甲基硅氧烷的克分子量(总流量)甄选为有机化学计量检定比即12倍量下列(更甄选为10倍下列)的量。根据以如许的比带有六羟基二二甲基硅氧烷和氧，进而未被彻底被氧化的六羟基二二甲基硅氧烷中的碳原子、氢原子进到第1隔绝层中，可以产生满足如数以上标准(i)～(iii)的第1隔绝层，获得的汽体高阻隔膜可以充分发挥出色的汽体高阻隔和耐弯折性。应予表明，从用以有机EL元器件、太阳能电池板等这种必需透光性的机器设备用的挠性基材的思想观点考虑到，涂膜汽体中的氧的克分子量(总流量)相对性于六羟基二二甲基硅氧烷的克分子量(总流量)的最低值甄选为比六羟基二二甲基硅氧烷的克分子量(总流量)多0.1倍的量，更甄选为多0.5倍的量。

此外，真内腔房间内的工作压力(真空值)可依据材料汽体的类型等适度地调节，甄选为0.5Pa～50Pa的范畴。

此外，如许的等离子CVD法中，为了更好地在涂膜辊39与涂膜辊40中间充放电而对与等离子造成用开关电源42联接的电级鼓(本执行方法中，设定于涂膜辊39和40)另加的电力工程可依据材料汽体的类型、真内腔房间内的工作压力等适度地调节，因而不可以一概而论，但甄选为0.1～10kW的范畴。倘若如许的另加电力工程为100W以上，则可以充足抑制颗粒物造成，另一方面，倘若为10kW下列，则可以抑制涂膜时发生的发热量，可以抑制涂膜时的板材外型的溫度升高。因而可以在板材不造成热损害的情形下避免涂膜时造成褶子，在这方面是出色的。

板材2的运输速率(生产流水线速率)可依据材料汽体的类型、真内腔房间内的工作压力等适度地调节，甄选为0.25～100m/min的范畴，更甄选为0.5～20m/min的范畴。倘若生产流水线速率为0.25m/min以上，则可以有效抑制板材造成由热造成的褶子。另一方面，倘若为100m/min下列，则可以在不危害生产效率的情形下保证做为第1隔绝层的充足的膜厚，在这方面是出色的。

如上所述，做为本执行方法的更甄选的方法，其特点取决于，将本产品的第1隔绝层行驶应用了图2一样的具备对置辊电级的等离子CVD安装(卷对卷方法)的等离子CVD法开展涂膜。这是由于在应用具备对置辊电级的等离子CVD安装(卷对卷方法)开展大批量生产时，可以有效地生产制造挠性(弯折性)出色且兼顾冲击韧性、尤其是卷对卷方法运输时的使用性能和隔绝特性的第1隔绝层。如许的生产制造安装在可以便宜且非常容易地大批量生产太阳能电池板、电子器件构件等中采用的规定对溫度变化具备稳定性的汽体高阻隔膜这方面也出色。

＜施胶法＞

本产品的第1隔绝层可以用如下所示方式产生，即对施胶带有无机物的液态、甄选带有硅化学物质的液态产生的涂层开展改性材料解决而产生的方式(施胶法)。下列，例举将硅化学物质做为无机物的事例开展表明，但以上无机物不限于硅化学物质。

(硅化学物质)

做为以上硅化学物质，只需可以制取带有硅化学物质的施胶液就沒有格外限定。

详尽来讲，比如可列举全氢聚硅氮烷、有机化学聚硅氮烷、倍半二甲基硅氧烷、四羟基氯硅烷、三羟基叔丁基氯硅烷、二甲基二叔丁基氯硅烷、羟基三叔丁基氯硅烷、三羟基乙氧基氯硅烷、二甲基二乙氧基氯硅烷、羟基三乙氧基氯硅烷、四叔丁基氯硅烷、四叔丁基氯硅烷、六羟基二二甲基硅氧烷、六羟基二硅氮烷、1,1-二甲基-1-硅杂环化合物丁烷、三羟基甲基丙烯酸酯氯硅烷、叔丁基二甲基甲基丙烯酸酯氯硅烷、三叔丁基甲基丙烯酸酯氯硅烷、乙基三叔丁基氯硅烷、二甲基二甲基丙烯酸酯氯硅烷、二甲基乙氧基乙炔气体基氯硅烷、二乙酰氧基二甲基氯硅烷、二叔丁基羟基-3,3,3-三氟丙基氯硅烷、3,3,3-三氟丙基三叔丁基氯硅烷、芳香族三叔丁基氯硅烷、乙氧基二甲基甲基丙烯酸酯氯硅烷、芳香族羟基三叔丁基氯硅烷、N-羟基-N-三羟基甲硅烷基乙酰胺、3-羟基丙基三叔丁基氯硅烷、羟基三甲基丙烯酸酯氯硅烷、二乙酰氧基羟基甲基丙烯酸酯氯硅烷、羟基三乙酰氧基氯硅烷、芳氧基二甲基甲基丙烯酸酯氯硅烷、二乙基甲基丙烯酸酯氯硅烷、丁基三叔丁基氯硅烷、3-羟基丙基二甲基乙氧基氯硅烷、四甲基丙烯酸酯氯硅烷、三乙酰氧基甲基丙烯酸酯氯硅烷、四乙酰氧基氯硅烷、3-三氟乙酰氧基丙基三叔丁基氯硅烷、二芳香族二叔丁基氯硅烷、丁基二叔丁基甲基丙烯酸酯氯硅烷、三羟基-3-甲基丙烯酸酯硫丙基氯硅烷、苯基三羟基氯硅烷、二叔丁基羟基苯基氯硅烷、苯基三叔丁基氯硅烷、3-pe酰氧基丙基二甲氧基羟基氯硅烷、3-pe酰氧基丙基三叔丁基氯硅烷、二甲基异戊氧基甲基丙烯酸酯氯硅烷、2-芳氧基乙基硫叔丁基三羟基氯硅烷、3-环氧树脂丙氧基丙基三叔丁基氯硅烷、3-芳香族羟基丙基三叔丁基氯硅烷、己基三叔丁基氯硅烷、十七氟己基三叔丁基氯硅烷、二甲基乙氧基苯基氯硅烷、苯甲酰氧基三羟基氯硅烷、3-羟基pe酰氧基丙基二叔丁基羟基氯硅烷、3-羟基pe酰氧基丙基三叔丁基氯硅烷、3-丙烯酸酯基丙基三乙氧基氯硅烷、二甲基乙氧基-3-环氧树脂丙氧基丙基氯硅烷、二丁氧基二甲基氯硅烷、3-丁基羟基丙基三羟基氯硅烷、3-二甲基羟基丙基二乙氧基羟基氯硅烷、2-(2-羟基乙基硫乙基)三乙氧基氯硅烷、双(丁基羟基)二甲基氯硅烷、二甲基丙烯酸酯羟基苯基氯硅烷、二乙酰氧基羟基苯基氯硅烷、二甲基对二甲苯基甲基丙烯酸酯氯硅烷、对丁二烯基三叔丁基氯硅烷、二乙基羟基苯基氯硅烷、苄基二甲基乙氧基氯硅烷、二乙氧基羟基苯基氯硅烷、癸基羟基二叔丁基氯硅烷、二乙氧基-3-环氧树脂丙氧基丙基羟基氯硅烷、辛氧基三羟基氯硅烷、苯基三甲基丙烯酸酯氯硅烷、四芳氧基氯硅烷、十二甲基三羟基氯硅烷、二芳香族羟基苯基氯硅烷、二苯基羟基甲基丙烯酸酯氯硅烷、二苯基乙氧基羟基氯硅烷、二乙酰氧基二苯基氯硅烷、二苄基二甲基氯硅烷、二芳香族二苯基氯硅烷、十八甲基三羟基氯硅烷、羟基十八甲基二甲基氯硅烷、二十二甲基羟基二甲基氯硅烷、1,3-二甲基丙烯酸酯-1,1,3,3-四羟基二二甲基硅氧烷、1,3-二甲基丙烯酸酯-1,1,3,3-四羟基二硅氮烷、1,4-双(二甲基甲基丙烯酸酯甲硅烷基)苯、1,3-双(3-乙酰氧基丙基)四羟基二二甲基硅氧烷、1,3,5-三羟基-1,3,5-三甲基丙烯酸酯环三二甲基硅氧烷、1,3,5-三(3,3,3-三氟丙基)-1,3,5-三羟基环三二甲基硅氧烷、八羟基环四二甲基硅氧烷、1,3,5,7-四乙氧基-1,3,5,7-四羟基环四二甲基硅氧烷、十羟基环五二甲基硅氧烷等。这种硅化学物质可以直接应用或是组成2种以上应用。

做为以上倍半二甲基硅氧烷，比如可列举Mayaterials制Q8系列产品和不带有机官能团的酯化倍半二甲基硅氧烷等。

在其中，从涂膜性、缝隙等缺点少、残余有机化合物少的思想观点考虑到，甄选全氢聚硅氮烷、有机化学聚硅氮烷等聚硅氮烷；倍半二甲基硅氧烷等硅氧烷等，由于汽体隔绝特性高、在弯折时和低温高低温标准下也可以保持隔绝特性，因而更甄选聚硅氮烷，格外甄选全氢聚硅氮烷。

聚硅氮烷就是指具备硅-氮键的高聚物，是具备Si-N、Si-H、N-H等键的SiO₂、Si₃N₄和二者的核心离子晶体SiO_xN_y等瓷器磷酸激酶有机物高聚物。

详尽来讲，聚硅氮烷甄选具备以下的构造。

结构式(I)：

-[Si(R₁)(R₂)-N(R₃)]_n–

以上结构式(I)中，R₁、R₂和R₃分别自力地为氢原子、庖代或者非庖代的甲基、芳香族、甲基丙烯酸酯或是(三烷氧基甲硅烷基)甲基。这时，R₁、R₂和R₃分别可以类同或是不一样。这儿，做为甲基，可列举碳原子数1～8的网盘直链、碳键或是环形的甲基。更详尽来讲，可列举羟基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、修德基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、环丙基、环戊基、环己基等。此外，做为芳香族，可列举碳原子数6～30的芳香族。更详尽来讲，可列举苯基、联苯基、三联苯基等非稠合烃基；戊搭烯基(pentalenyl group)、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基(heptalenyl group)、亚联苯基、芴基、苊烯基、七曜烯基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、醋菲烯基(acephenanthrylenyl group)、醋蒽烯基(aceanthrylenyl group)、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基等稠合多环烃基。做为(三烷氧基甲硅烷基)甲基，可列举具备被碳原子数1～8的烷氧基庖代的甲硅烷基的碳原子数1～8的甲基。更详尽来讲，可列举3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基、3-(三叔丁基甲硅烷基)丙基等。依据状况而出现于以上R₁～R₃的庖代基沒有格外限制，比如，有甲基、卤素原子、甲基(-OH)、巯基(-SH)、磺酸基(-CN)、磺基(-SO₃H)、羧基(-COOH)、氟苯(-NO₂)等。应予表明，依据状况出现的庖代基与庖代的R₁～R₃并不类同。比如，R₁～R₃为甲基时，不容易进一步被甲基庖代。在其中，甄选R₁、R₂和R₃为氢原子、羟基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、苯基、甲基丙烯酸酯、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基或是3-(三叔丁基甲硅烷基)丙基。

此外，以上结构式(I)中，n为整数金额，n甄选以具备结构式(I)表露主要表现的结构特征的聚硅氮烷具备150～150000g/克分子的数均相对分子质量的方法明确。

具备以上结构式(I)表露主要表现的结构特征的化学物质中，甄选的形式之一是R₁、R₂和R₃如数为氢原子的全氢聚硅氮烷。

或是，做为聚硅氮烷，具备以下结构式(II)表露主要表现的构造。

结构式(II)：

-[Si(R_1’)(R_2’)-N(R_3’)]_n’-[Si(R_4’)(R_5’)-N(R_6’)]_p–

以上结构式(II)中，R_1’、R_2’、R_3’、R_4’、R_5’和R_6’分别自力地为氢原子、庖代或者非庖代的甲基、芳香族、甲基丙烯酸酯或是(三烷氧基甲硅烷基)甲基。这时，R_1’、R_2’、R_3’、R_4’、R_5’和R_6’分别可以类同或是不一样。以上的庖代或者非庖代的甲基、芳香族、甲基丙烯酸酯或是(三烷氧基甲硅烷基)甲基与以上结构式(I)的界定类同，省去表明。

此外，以上结构式(II)中，n’和p为整数金额，n’和p甄选以具备结构式(II)表露主要表现的结构特征的聚硅氮烷具备150～150000g/克分子的数均相对分子质量的方法明确。应予表明，n’和p可以类同或是不一样。

以上结构式(II)的聚硅氮烷中，甄选R_1’、R_3’和R_6’各自表露主要表现氢原子、R_2’、R_4’和R_5’各自表露主要表现羟基的化学物质；R_1’、R_3’和R_6’各自表露主要表现氢原子、R_2’、R_4’各自表露主要表现羟基、R_5’表露主要表现甲基丙烯酸酯的化学物质；R_1’、R_3’、R_4’和R_6’各自表露主要表现氢原子、R_2’和R_5’各自表露主要表现羟基的化学物质。

或是，做为聚硅氮烷，具备以下结构式(III)表露主要表现的构造。

结构式(III)：

-[Si(R_1”)(R_2”)-N(R_3”)]_n”-[Si(R_4”)(R_5”)-N(R_6”)]p-[Si(R_7”)(R_8”)-N(R_9”)]q-

此外，如日本特开2005-231039号公布所记述，第1隔绝层的产生可选用胶体溶液-疑胶法。行驶胶体溶液-疑胶法产生第1隔绝层时采用的施胶液甄选带有硅化学物质及其丙烯酸乳液系环氧树脂和丁二烯·乙烯醇聚合物中的最少1种。除此之外，甄选施胶液带有胶体溶液-疑胶法金属催化剂、酸、水和有机溶液。胶体溶液-疑胶法中，根据应用如许的施胶液开展缩聚而获得第1隔绝层。做为硅化学物质，甄选应用结构式R^A_OSi(OR^B)_p表露主要表现的醇盐。这儿，R^A和R^B分别自力地表露主要表现碳原子数1～20的甲基，O表露主要表现0以上的整数金额，p表露主要表现1以上的整数金额。做为以上的烷氧基氯硅烷的详尽例，比如，可应用四叔丁基氯硅烷(Si(OCH₃)₄)、四乙氧基氯硅烷(Si(OC₂H₅)₄)、四丙氧基氯硅烷(Si(OC₃H₇)₄)、四丁氧基氯硅烷(Si(OC₄H₉)₄)等。施胶液中，组成应用丙烯酸乳液系环氧树脂和丁二烯·乙烯醇聚合物时，做为分别的相互配合占比，以净重比计，甄选丙烯酸乳液系环氧树脂:丁二烯·乙烯醇聚合物＝10:0.05～10:6。此外，丙烯酸乳液系环氧树脂和/或丁二烯·乙烯醇聚合物的施胶液中的成分相比于以上的硅化学物质的累计量100净重份甄选为5～500净重份的范畴，更甄选为20～200净重份。做为丙烯酸乳液系环氧树脂，一样平时可应用将聚乙酸乙烯酯皂脚而得的成分。做为以上的丙烯酸乳液系环氧树脂，甲酸基残余数十％的一部分皂脚丙烯酸乳液系环氧树脂、甲酸基不残余的彻底皂脚丙烯酸乳液、或是OH基被改性材料的改性材料丙烯酸乳液系环氧树脂均可。做为丙烯酸乳液系环氧树脂的详尽例，可应用KURARAY株式制的KURARAY POVAL(商标注册)、日本生成化工株式制的GOHSENOL(商标注册)等。此外，本产品中，做为丁二烯·乙烯醇聚合物，可应用丁二烯和乙酸乙烯酯的聚合物的皂脚物，将要丁二烯-乙酸乙烯酯无规矩聚合物皂脚而得的成分。详尽来讲，从甲酸基残余数十克分子％的一部分皂脚物到甲酸基仅残余数克分子％或是甲酸基不残余的彻底皂脚物均包含，沒有格外限定，但从汽体高阻隔的思想观点考虑到，甄选的皂脚度甄选为80克分子％以上，更甄选为90克分子％以上，进一步优化为95克分子％以上。此外，甄选应用以上的丁二烯·乙烯醇聚合物中的来源于丁二烯的反复模块的成分(下列也称之为“丁二烯成分”)通常为0～50克分子％、甄选为20～45克分子％的成分。做为以上的丁二烯·乙烯醇聚合物的详尽例，可应用KURARAY株式制EVAL(商标注册)EP-F101(丁二烯成分：32克分子％)、日本生成化工株式制SOARNOL(商标注册)D2908(丁二烯成分：29克分子％)等。做为胶体溶液-疑胶法金属催化剂，关键是缩聚金属催化剂，应用与水本质上不溶且可溶解有机溶液的叔胺。详尽来讲，比如，可应用N,N-二甲基苄胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺等。此外，做为酸，可列举作为以上胶体溶液-疑胶法的金属催化剂、关键是用以醇盐、偶联剂等的水解反应的金属催化剂的酸。做为以上的酸，比如，可应用盐酸、硫酸、氰化钠等强氧化剂及其甲酸、酒石酸等有机物等。而且，涂布液中，相对性于以上的醇盐的累计克分子量1克分子，甄选带有0.1～100克分子、更甄选带有0.8～2克分子的比率的水。

做为胶体溶液-疑胶法的施胶液所应用的有机溶液，比如，可应用工业甲醇、乙酸乙酯、正丙醇、丙酮、正丁醇等。此外，可溶解有机溶剂中的丁二烯·乙烯醇聚合物比如可应用以SOARNOL(商标注册，日本生成化工株式制)的商品名市面上的成分。除此之外，还能够向胶体溶液-疑胶法的施胶液中加上比如偶联剂等。

(施胶第1隔绝层产生用施胶液的方式)

做为施胶第1隔绝层产生用施胶液的方式，可选用一向至今公知的适度的湿试施胶方式。做为详尽例，可列举旋涂法、辊涂法、流涂法、喷墨打印机法、喷漆法、包装印刷法、浸涂法、流延涂膜法、棒涂法、胶版印刷法等。

施胶薄厚可依据目地适度地设置。比如，第1隔绝层每1层的施胶薄厚，甄选干躁后的薄厚为10nm～10μm上下，更甄选为15nm～1μm，进一步优化为20～500nm。倘若膜厚为10nm以上则可以获得充足的高阻隔，倘若为10μm下列，则层产生时可以获得稳定的施胶性，而且可以进行高的光源电子散射性。

将施胶液施胶后，甄选使涂层干躁。根据将涂层干躁，可以去除涂层中包含的有机溶液。这时，可以将涂层中包含的有机溶液如数干躁，还可以残余一部分。就算残余一部分的有机溶液时，也可获得适合的第1隔绝层。应予表明，残余的有机溶剂可在以后被去除。

涂层的干躁溫度依据采用的板材而不一样，甄选为50～200℃。比如，应用玻璃化转变溫度(Tg)为70℃的聚对苯二甲酸乙二醇酯板材做为材料时，甄选干躁溫度考虑到热造成的板材的形变等而设置在150℃下列。以上溫度可根据应用发热板、烘干箱、炉等设置。干躁時间甄选设置成短期内，比如，干躁溫度为150℃时甄选设置在30分鐘之内。此外，干躁氛围可以是空气氛围下、氮氛围下、氩氛围下、真空泵氛围下、操纵吸氧浓度的缓解压力氛围低劣随意的标准。

针对施胶第1隔绝层产生用施胶液而得的涂层，在改性材料解决前或是改性材料解决中可包含去除水份的工艺流程。做为去除水份的方式，甄选保持低环境湿度自然环境而去湿的方法。低环境湿度自然环境的环境湿度依据溫度而变化，因而溫度和相对湿度的关联根据含湿量的要求而示出甄选的方法。甄选的含湿量为4℃下列(溫度25℃/环境湿度25％)，更甄选的含湿量为-5℃(溫度25℃/环境湿度10％)下列，保持的時间甄选依据第1隔绝层的膜厚适度地设置。第1隔绝层的膜厚为1.0μm以内的前提下，甄选含湿量为-5℃下列，保持的时长为1分鐘以上。应予表明，含湿量的最低值沒有格外限制，通常为-50℃以上，甄选为-40℃以上。从推动向氯硅烷醇转换的第1隔绝层的脱水反应的思想观点考虑到，甄选在改性材料解决前或是改性材料解决中进行去除水份的工艺流程。

＜行驶施胶法产生的第1隔绝层的改性材料解决＞

本产品中的行驶施胶法产生的第1隔绝层的改性材料解决就是指硅化学物质向二氧化硅或是向氮氧化硅等的转换反映，详尽来讲就是指产生对本产品的汽体高阻隔膜团队展现汽体高阻隔有幫助的水平的有机物塑料薄膜的解决。

硅化学物质向二氧化硅或是向氮氧化硅等的转换反映可适度地挑选应用公知的方式。做为改性材料解决，详尽来讲，可列举等离子解决、紫外线照射解决、加温解决。可是，行驶加温解决开展改性材料时，由于根据硅化学物质的庖代反映产生二氧化硅膜或是氮氧化硅层必需450℃以上的高溫，因此塑胶等挠性基材无法融入。因而，甄选热处理工艺与其余的改性材料解决组成开展。

因而，做为改性材料解决，从融入塑胶基材如许的思想观点考虑到，甄选行驶在更低溫度下可开展转换反映的等离子解决、紫外线照射解决的转换反映。

(等离子解决)

本产品中，可做为改性材料解决应用的等离子解决可选用公知的方式，可优举荐出大气压力等离子解决等。在大气压力周边开展等离子CVD解决的大气压力等离子CVD法与真空泵下的等离子CVD法对比，多余操纵在缓解压力下，不但生产效率高，并且等离子相对密度为密度高的，因而涂膜速度更快，而且与通常的CVD法的标准相较为，在大气压力下如许的高工作压力情况下，汽体的均值随意工艺流程尤其很是短，因而可获得极其匀质的膜。

开展大气压力等离子解决时，做为充放电汽体，应用N2或是带有长周期型化学元素表的第18族分子的汽体，详尽来讲，应用氦、氖、氩、氪、氙、氡等。在其中甄选应用氮、氦、氩，格外是氮低成本，因此甄选。

(加温解决)

根据与其余的改性材料解决、甄选后述的准分子直射解决等搭配而对带有硅化学物质的涂层开展加温解决，可以有效地开展改性材料解决。

此外，应用胶体溶液-疑胶法形成层时，甄选选用加温解决。做为加温标准，甄选为50～300℃，更甄选为70～200℃的溫度，甄选为0.005～60分鐘，更甄选为0.01～10分鐘，根据开展加温·干躁，开展缩合反应而可以产生第1隔绝层。

做为加温解决，比如可列举使板材与加温块等发热器触碰，根据导热而加温涂层的方式；行驶电阻丝等外界电加热器加温氛围的方式；IR电加热器如许的行驶红外线地区的光的方式等，沒有格外限定。此外，可适度地选可以保持带有硅化学物质的涂层的光滑性的方法。

做为加温解决时的涂层的溫度，甄选适度地调节在50～250℃的范畴，更甄选为50～120℃的范畴。

此外，做为加温時间，甄选1秒～10钟头的范畴，更甄选10秒～1钟头的范畴。

(紫外线照射解决)

做为改性材料解决的方式之一，甄选行驶紫外线照射的解决。行驶紫外光(与紫外线含意类同)转化成的活性氧、活力氧分子具备高的空气氧化工作能力，可以以超低温产生具备高高密度性和绝缘性能的二氧化硅膜或是氮氧化硅膜。

行驶该紫外线照射，板材被加温，有利于瓷器化(二氧化硅转换)的O₂和H₂O、紫外光汲取剂、聚硅氮烷本身被抑制而活性，因而激起聚硅氮烷，推动聚硅氮烷的瓷器化，此外获得的第1隔绝层更为高密度。紫外线照射只需在涂层产生后，则在任何时候执行都有效。

紫外线照射解决中，还可以应用常见的随意的紫外光造成安装。

应予表明，本产品中谈及的紫外光一样平时就是指具备10～400nm的光波长的无线电波，但开展后述的真空泵紫外光(10～200nm)解决之外的紫外线照射解决时，甄选应用210～375nm的紫外光。

紫外光的直射甄选在担载被阳光照射的第1隔绝层的板材不损伤的范畴内设置直射抗压强度、直射時间。

以应用塑料薄膜做为板材的状况为例子，比如，可以应用2kW(80W/cm×25cm)的灯，以板材外型的抗压强度变成20～300mW/cm²、甄选变成50～200mW/cm²的方法设置板材-紫外线照射灯间的间距，开展0.1秒～10分鐘的直射。

一样平时来讲，倘若紫外线照射解决时的板材溫度变为150℃以上，则为塑料薄膜等时，板材形变或是其抗压强度劣变等材料的特点损伤。殊不知，为聚丙烯腈等耐温性高的膜时，可以在更高一些溫度下开展改性材料解决。因而，做为该紫外线照射时的板材溫度，一样平时沒有限制，本行业专业技术人员可依据板材的类型适度地设置。此外，紫外线照射氛围沒有格外限制，可以在空气中执行。

做为如许的紫外光的造成组织，比如可列举金属卤化物灯、高压钠灯、低电压汞灯、氙弧灯、碳弧灯、准分子灯(172nm、222nm、308nm的单一光波长，比如USHIO株式制、M.D.COM株式制等)、UV光激光器等，沒有格外限定。此外，对第1隔绝层直射所形成的紫外光时，从发展听从和完成匀称的直射的思想观点考虑到，甄选使来源于造成源的紫外光被反射面反射面后照射第1隔绝层。

紫外线照射选用分次解决或持续解决均适合，可按照采用的板材的外观设计适度地选中。比如，分次解决时，可以将外型具备第1隔绝层的重叠体用具有如上所述的紫外光造成源的紫外光烧造炉解决。紫外光烧造炉自身通常是已经知道的，比如，可应用Eyegraphics株式制的紫外光烧造炉。此外，外型具备第1隔绝层的重叠体为条形薄膜状时，可以边运输它边在具有如上所述的紫外光造成源的晾干地区持续直射紫外光来使其瓷器化。紫外线照射需要的時间依据采用的板材、第1隔绝层的构成、浓度值而定，一样平时为0.1秒～10分鐘，甄选为0.5秒～3分鐘。

(真空泵紫外线照射解决：准分子直射解决)

本产品中，最甄选的改性材料解决办法是行驶真空泵紫外线照射的解决(准分子直射解决)。行驶真空泵紫外线照射的解决就是指如下所示的方式，即应用比聚硅氮烷化学物质内的原子间键协力大的100～200nm的聚光，甄选应用100～180nm光波长的聚光，行驶被称作光量子工艺流程的仅有光量子的功效，立即断开分子的键合同书时行驶臭氧、活性氧开展氧化还原反应，从而在较超低温(约200℃下列)下，开展二氧化硅膜的产生。应予表明，开展准分子直射解决时，甄选如上所述并且用热处理工艺，这时的热处理工艺标准的详尽內容如上所述。

本产品中的射线源只需造成100～180nm光波长的光就可以，甄选在约172nm具备较大放射性的准分子辐射器(比如，Xe准分子灯)、在约185nm具备亮线的低电压汞蒸气灯和具备230nm之下的光波长成份的中压和髙压汞蒸气灯、及其在约222nm具备较大放射性的准分子灯。

在其中，由于Xe准分子灯以单一光波长放射性光波长短的172nm的紫外光，因此闪光听从出色。由于该光的氧的汲取指数大，因此用少量的氧就可以造成浓度较高的的氧自由基氧分子种、活性氧。

此外，已经知道光波长短的172nm的聚光使物质的键离解的工作能力高。行驶该臭氧、活性氧和紫外光放射性所具备的高效率能量，可以在短期内完成聚硅氮烷涂层的改性材料。

由于准分子灯的光造成听从高，因此以低的电力工程资金投入就可以照亮。此外，具备如下所示特点：不传出变成因光造成的溫度升高的焦虑要素的长光波长的光，由于在紫外光地区就是以短光波长直射动能，因此可以抑制直射目标物的外型溫度的升高。因而，合适非常容易遇热的干扰的PET等挠性膜原材料。

紫外线照射时的反映必需氧，由于真空泵紫外光有氧运动的汲取，因此紫外线照射工艺流程的听从非常容易减少，甄选真空泵紫外光的直射在吸氧浓度和水蒸汽浓度值尽可能低的情况下开展。即，真空泵紫外线照射时的吸氧浓度甄选为10～20000容积ppm，更甄选为50～10000容积ppm。此外，转换工艺流程间的水蒸汽浓度值甄选为1000～4000容积ppm的范畴。

做为真空泵紫外线照射时采用的满足直射氛围的汽体，甄选干躁稀有气体，从费用的思想观点考虑到，格外甄选为干躁N2。吸氧浓度的调节可根据精确测量向直射库位导进的o2、稀有气体的总流量，更改总流量比以调节。

真空泵紫外线照射工艺流程中，聚硅氮烷涂层所得到的改善面的该真空泵紫外光的光照强度甄选为1mW/cm²～10W/cm²，更甄选为30mW/cm²～200mW/cm²，进一步优化为50mW/cm²～160mW/cm²。小于1mW/cm²时，改性材料听从很有可能大幅度减少，倘若超出10W/cm²，则涂层很有可能造成烧蚀、或是对板材导致损害。

涂层面的真空泵紫外光的直射动能的量(直射量)甄选为10～10000mJ/cm²，更甄选为100～8000mJ/cm²，进一步优化为200～6000mJ/cm²。小于10mJ/cm²时，改性材料很有可能不充足，倘若超出10000mJ/cm²，则焦虑因过多改性材料造成的缝隙造成、产生板材的热形变。

此外，改性材料所运用的真空泵紫外线可以行驶由带有CO、CO₂和CH₄的最起码一种的汽体(下列，也称之为含碳量汽体)产生的等离子造成。而且，含碳量汽体可以直接应用，但甄选做为以了解汽体或是H₂为主导汽体、小量加上含碳量汽体而得的混合气应用。做为等离子的生成方式，可列举电容耦合等离子等。

下面，做为甄选方法的硅化学物质为全氢聚硅氮烷时，针对推断真空泵紫外线照射工艺流程中由全氢聚硅氮烷造成氮氧化硅、进一步造成二氧化硅的化学反应体制，下列开展表明。

(I)脱氢、与其说相随的Si-N键的产生

觉得全氢聚硅氮烷中的Si-H键、N-H键因真空泵紫外线照射造成的激起等而较非常容易破裂，在可塑性氛围下再键生成Si-N(不经意也产生Si的未键合结构域)。即，不产生空气氧化而SiN_y构成的形势干固。这时不产生高聚物碳链的破裂。Si-H键、N-H键的破裂因金属催化剂的存有、加温而被推动。破裂的H以H₂的形势被释放出来到膜外。

(II)由水解反应·脱水缩合造成的Si-O-Si键的产生

全氢聚硅氮烷中的Si-N键被水水解反应，高聚物主解链而产生Si-OH。2个Si-OH脱水缩合而产生Si-O-Si键并干固。这也是在空气中也会出现的反映，但在可塑性氛围下的真空泵紫外线照射中，觉得因直射的热从板材做为排出来汽体造成的水蒸汽变成关键的水份源。倘若水份过多，则未彻底脱水缩合的Si-OH残余，变成由SiO_2.1～SiO_2.3的构成表露主要表现的汽体高阻隔低的干固膜。

(III)由单线态氧造成的立即空气氧化、Si-O-Si键的产生

在真空泵紫外线照射中，倘若氛围下存有适当的氧，则产生空气氧化力尤其很是强的单线态氧。全氢聚硅氮烷中的H、N与O互换而产生Si-O-Si键并干固。觉得不经意也会因高聚物碳链的破裂而产生键的资产重组。

(IV)伴随由真空泵紫外线照射·激起造成的Si-N键破裂的空气氧化

由于真空泵紫外光的动能比全氢聚硅氮烷中的Si-N键动能高，因此Si-N键产生破裂，觉得倘若在四周存有氧、活性氧、水等氧气源，则被氧化而造成Si-O-Si键、Si-O-N键。觉得不经意也会因高聚物碳链的破裂而产生键的资产重组。

对带有聚硅氮烷的层执行真空泵紫外线照射而得的层的氮氧化硅的构成的调节可以根据适度地组成以上的(I)～(IV)的空气氧化体制操纵空气氧化情况来开展。

这儿，做为硅化学物质，为首选的聚硅氮烷时，在二氧化硅转换(改性材料解决)中，产生Si-H、N-H键的破裂和Si-O键的转化成，转换成二氧化硅等瓷器，该转换的水平可以根据IR测量，行驶下列界定的式(1)，以SiO/SiN比开展半定量点评。

式(1)

SiO/SiN比＝(转换后的SiOOD值)/(转换后的SiNOD值)

这儿，SiOOD值根据在约1160cm^-1的汲取(OD值)算出，SiNOD值根据在约840cm^-1的汲取(OD值)算出。SiO/SiN比越大，表露主要表现越向贴近二氧化硅构成的瓷器转换。

这儿，做为向瓷器转换的水平的指标值的SiO/SiN比甄选为0.3以上，更甄选为0.5以上。小于0.3时，不经意无法得到期望的汽体高阻隔。此外，做为二氧化硅转换率(SiO_x中的x)的测定法，比如，可应用XPS测定方法。

第1隔绝层的膜构成可以应用XPS外型剖析安装测量原子组成比以

测量。此外，还可以根据断开第1隔绝层，用XPS外型剖析安装对断开面测量原子组成比以测量膜构成。

做为金属材料醇盐化学物质的更详尽的事例，比如可列举乙酰丙酮铍、硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三正丙酯、硼酸三异丙酯、硼酸三正丁酯、硼酸三叔丁酯、乙酸乙酯镁、乙基苯乙酸乙酯镁、叔丁基乙酸乙酯镁、乙酰丙酮镁、三工业甲醇铝、三乙酸乙酯铝、三正醇铝、三异丙醇铝、三正丁醇铝、三仲丁醇铝、三叔丁醇铝、乙酰丙酮铝、乙酰烷氧基二异丙醇铝、乙酰乙酸乙酯·二异丙醇铝、乙酰乙酸乙酯二正丁醇铝、二乙酰乙酸乙酯单正丁醇铝、单仲丁醇二异丙醇铝、三乙酰丙酮铝、三乙酰乙酸乙酯铝、双(乙酰乙酸乙酯)(2,4-戊二酮)铝、乙酰乙酸甲基酯二异丙醇铝、丙酮氧铝三聚体(aluminium oxide isopropoxide trimer)、辛醇氧铝三聚体(aluminium oxide octylate trimer)、工业甲醇钙、乙酸乙酯钙、丙酮钙、乙酰丙酮钙、乙酰丙酮钪、四工业甲醇钛、四乙酸乙酯钛、四正丙醇钛、四异丙醇钛、四正丁醇钛、四异丁醇钛、二丙酮二正丁醇钛、二叔丁醇二异丙醇钛、四叔丁醇钛、四异辛醇钛、四硬脂醇钛、三异丁醇氧钒、三(2,4-戊二酮)铬、正丙醇铬、丙酮铬、工业甲醇锰、三(2,4-戊二酮)锰、工业甲醇铁、乙酸乙酯铁、正丙醇铁、丙酮铁、三(2,4-戊二酮)铁、丙酮钴、三(2,4-戊二酮)钴、乙酰丙酮镍、工业甲醇铜、乙酸乙酯铜、丙酮铜、乙酰丙酮铜、乙酸乙酯锌、乙基苯乙酸乙酯锌、叔丁基乙酸乙酯锌、工业甲醇镓、乙酸乙酯镓、丙酮镓、乙酰丙酮镓、工业甲醇锗、乙酸乙酯锗、丙酮锗、正丁醇锗、叔丁醇锗、乙基三乙氧基锗、丙酮锶、正丙醇钇、丙酮钇、乙酰丙酮钇、乙酸乙酯锆、正丙醇锆、丙酮锆、丁醇锆、叔丁醇锆、四(2,4-戊二酮)锆、乙酸乙酯铌、正丁醇铌、叔丁醇铌、乙酸乙酯钼、乙酰丙酮钼、乙酰丙酮钯、乙酰丙酮银、乙酰丙酮镉、三(2,4-戊二酮)铟、丙酮铟、丙酮铟、正丁醇铟、叔丁基乙酸乙酯铟、正丁醇锡、叔丁醇锡、乙酰丙酮锡、二丙酮钡、叔丁醇钡、乙酰丙酮钡、丙酮镧、叔丁基乙酸乙酯镧、乙酰丙酮镧、正丁醇铈、叔丁醇铈、乙酰丙酮铈、叔丁基乙酸乙酯镨、乙酰丙酮镨、叔丁基乙酸乙酯钕、乙酰丙酮钕、叔丁基乙酸乙酯钕、丙酮钐、乙酰丙酮钐、乙酰丙酮铕、乙酰丙酮钆、乙酰丙酮铽、乙酰丙酮钬、乙酰丙酮镱、乙酰丙酮镏、乙酸乙酯铪、正丁醇铪、叔丁醇铪、乙酰丙酮铪、工业甲醇钽、乙酸乙酯钽、正丁醇钽、丁醇钽、四叔丁基乙酰丙酮钽、乙酸乙酯钨、乙酰丙酮铱、二羰基乙酰丙酮铱、乙酸乙酯铊、乙酰丙酮铊、乙酰丙酮铅及其具备以下构造的氧化物等。

在其中，n＝1～10的整数金额

此外，做为金属材料醇盐化学物质，也可应用倍半二甲基硅氧烷。

倍半二甲基硅氧烷(Silsesquioxane)是碳链框架由Si-O键产生的二甲基硅氧烷系的化学物质，也被称作T环氧树脂，通常的二氧化硅由结构式〔SiO₂〕表露主要表现，而倍半二甲基硅氧烷(也称之为聚倍半二甲基硅氧烷)为由结构式〔RSiO_1.5〕表露主要表现的化学物质。通常是以四乙氧基氯硅烷为象征的四烷氧基氯硅烷(Si(OR’)₄)的1个烷氧基被甲基或是芳香族庖代而得的(RSi(OR’)₃)化学物质根据水解反应-缩聚而生成的硅氧烷，做为分子结构排序的外观设计，象征性的有不定形、梯状、笼形(彻底缩合反应笼形)。

倍半二甲基硅氧烷可以被生成或是可以是市售品。做为后者的详尽例，可列举X-40-2308、X-40-9238、X-40-9225、X-40-9227、x-40-9246、KR-500、KR-510(均为信越化学工业生产株式制)、SR2400、SR2402、SR2405、FOX14(全氢倍半二甲基硅氧烷)(均为Dow Corning Toray株式制)、SST-H8H01(全氢倍半二甲基硅氧烷)(Gelest公司制)等。

这种金属材料醇盐化学物质中，从反映性、消溶性等思想观点考虑到，甄选具备碳键状的烷氧基的化学物质，更甄选具备2-丙氧基或是仲丁氧基的化学物质。

此外，还甄选具备乙酰丙酮基的金属材料醇盐化学物质。乙酰丙酮dna羰基构造与醇盐化学物质的正中间原素相互影响，因此可操作性越来越非常容易，因此甄选。从反映性、膜构成的思想观点考虑到，更甄选具备多种多样以上的醇盐基或是乙酰丙酮基的化学物质。

此外，做为金属材料醇盐的正中间原素，甄选非常容易与聚硅氮烷中的氮原子产生配位键的原素，更甄选路易斯酸高朝的Al、Fe或是B。

更甄选的金属材料醇盐化学物质，详尽来讲，可列举硼酸三异丙酯、三仲丁醇铝、乙酰乙酸乙酯·二异丙醇铝、丙酮钙、四异丙醇钛、丙酮镓、单仲丁醇二异丙醇铝、乙酰乙酸乙酯二正丁醇铝、或是二乙酰乙酸乙酯单正丁醇铝。

金属材料醇盐化学物质可以应用市售品还可以应用合产品。做为市售品的详尽例，比如可列举AMD(单仲丁醇二异丙醇铝)、ASBD(仲丁醇铝)、ALCH(乙酰乙酸乙酯·二异丙醇铝)、ALCH-TR(三乙酰乙酸乙酯铝)、Alumichelate M(乙酰乙酸甲基酯·二异丙醇铝)、Alumichelate D(双乙酰乙酸乙酯·单乙酰丙酮铝)、Alumichelate A(W)(三乙酰丙酮铝)(以上为Kawaken Fine Chemicals株式制)、PLENACT(商标注册)AL-M(乙酰烷氧基二异丙醇铝，Ajinomoto Fine Chemical株式制)、Olga Chicks系列(Matsumoto Fine Chemical株式制)等。

应予表明，应用金属材料醇盐化学物质时，甄选在稀有气体气氛下与带有聚硅氮烷的饱和溶液混和。这也是为了更好地抑制金属材料醇盐化学物质与空气中的水份、氧反映，空气氧化猛烈开展。

做为以上甲基胺化学物质的详尽例，比如可列举甲胺、乙胺、丙胺、正丁胺、仲丁胺、叔丁胺、3-吗啉基丙胺等伯胺化学物质；二甲胺、二乙胺、羟基乙基胺、二丙胺、二(正丁基)胺、二(仲丁基)胺、二(叔丁基)胺等仲胺化学物质；三甲胺、三乙胺、二甲基乙基胺、羟基二乙基胺、三丙胺、三(正丁基)胺、三(仲丁基)胺、三(叔丁基)胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、三乙醇胺等叔胺化学物质等。

此外，做为以上甲基胺化学物质，可应用二胺化学物质。做为二胺化学物质的详尽例，可列举四羟基甲烷气体二胺、四羟基己烷二胺、四羟基丁烷二胺(四羟基二羟基丁烷)、四羟基丁烷二胺、四羟基戊烷二胺、四羟基己烷二胺、四乙基甲烷气体二胺、四乙基己烷二胺、四乙基丁烷二胺、四乙基丁烷二胺、四乙基戊烷二胺、四乙基己二胺、N,N,N’,N’-四羟基-1,6-二羟基己烷(TMDAH)、四甲基胍等。

此外，具备甲基的甲基改性材料硅氧烷、具备烷氧基的烷氧基改性材料硅氧烷和具备甲基羟基的甲基羟基改性材料硅氧烷等改性材料硅氧烷也可甄选作为加上化学物质。

改性材料硅氧烷可甄选应用以下结构式(4)或是结构式(5)表露主要表现的硅氧烷类。

以上结构式(4)和结构式(5)中，R⁴～R⁷分别自力地为氢原子、甲基、甲基、烯基、炔基、烷氧基、甲基羟基、或是庖代或无庖代的芳香族，这时，R⁴和R⁵中的最少1个及其R⁶和R⁷中的最少1个为甲基、烷氧基、或是甲基羟基，

p和q分别自力地为1以上的整数金额。

改性材料硅氧烷可以应用市售品还可以应用合产品。做为市售品的事例，比如可列举X-40-2651、X-40-2655A、KR-513、KC-89S、KR-500、X-40-9225、X-40-9246、X-40-9250、KR-401N、X-40-9227、X-40-9247、KR-510、KR9218、KR-213、X-40-2308、X-40-9238(以上为信越化学工业生产株式制)等。

以上改性材料硅氧烷中的甲基、烷氧基或是甲基羟基的改性材料度相对性于硅原子的摩尔数，甄选为5克分子％～50克分子％，更甄选为7克分子％～20克分子％，进一步优化为8克分子％～12克分子％。

改性材料硅氧烷的聚乙烯转换的重均分子量甄选为1000～100000上下，更甄选为2000～50000。

(第2隔绝层产生用施胶液)

做为用以制取第2隔绝层产生用施胶液的有机溶剂，只需可消溶以上聚硅氮烷和加上化学物质就沒有格外限制，甄选没有非常容易与聚硅氮烷反映的水和反映性官能团(比如，甲基或是胺基等)且对聚硅氮烷主要表现可塑性的有机溶液，更甄选非反质子性的有机溶液。详尽来讲，做为有机溶剂，可列举非反质子性有机溶液：比如，戊烷、己烷、环己烷、二甲苯、二甲苯、Solvesso、萜烯等脂环族烃、脂环式烃、芳香族烃等烃有机溶剂；二氯甲烷、三氯乙烷等带有卤素灯泡的烃有机溶剂；乙酸丁酯、甲基叔丁基醚等脂类；甲苯、甲基乙基酮等吩噻嗪；二丁醚、二烷、四氢呋喃等脂环族醚、脂环式醚等醚类：比如四氢呋喃、二丁醚、单-和聚烷撑二醇二甲基醚(二甘醇二甲醚类)等。以上有机溶剂可以直接应用或是以2种以上的混合物质的形状应用。

第2隔绝层产生用施胶液中的聚硅氮烷的浓度值沒有格外限制，依据层的膜厚、施胶液的可用期而不一样，甄选为1～80净重％，更甄选为5～50净重％，格外甄选为10～40净重％。

第2隔绝层产生用施胶液中的加上化学物质的需求量相对性于聚硅氮烷甄选为1～50净重％，更甄选为1～15净重％。倘若为该范畴，则可以有效地获得本产品的第2隔绝层。

做为非反质子系有机溶剂，可列举乙腈、二甲基亚砜、N,N,N’,N’-四乙基磺氟苯、六羟基磷酸三氟苯、N-羟基吗啉酮、N-羟基吡咯、N-乙基吡咯、N-羟基哌啶、N-乙基哌啶、N,N-二甲基哌嗪、N-羟基咪唑、N-羟基-4-哌啶酮、N-羟基-2-哌啶酮、N-羟基-2-二丙二醇丁醚、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,3-二甲基四氢-2(1H)-嘧啶酮等。这种非反质子系有机溶剂可以直接应用或是组成2种以上应用。

做为用以产生核心层的有机溶液，以上的有机溶液中甄选醇系有机溶剂。

做为核心层产生用施胶液的施胶方式，可列举旋涂法、浸渍法、辊刀功、喷漆法等。

做为由核心层产生用施胶液产生的核心层的薄厚，甄选100nm～10μm的范畴。倘若核心层的薄厚为100nm以上，则可以保证高溫高低温下的汽体高阻隔。此外，倘若核心层的薄厚为10μm下列，则在产生核心层时可以获得稳定的施胶性，且可完成高的光源电子散射性。

此外，核心层的膜相对密度通常为0.35～1.2g/cm³，甄选为0.4～1.1g/cm³，进一步优化为0.5～1.0g/cm³。只需膜相对密度为0.35g/cm³以上，就可以获得充足的涂层的冲击韧性。

本产品的核心层根据将带有硅氧烷的施胶液行驶湿试施胶法施胶在第1隔绝层上并烘干后，对该干躁的涂层(硅氧烷涂层)直射真空泵紫外线而产生。

做为用以产生该核心层的真空泵紫外线，可以应用与以上的隔绝层的建立中表明的真空泵紫外线类同的通过真空泵紫外线直射解决而发生的真空泵紫外线。

此外，本产品中，做为将硅氧烷膜改性材料而产生核心层时的真空泵紫外线的总计视度，甄选为500mJ/cm²～10000mJ/cm²。倘若真空泵紫外线的总计视度为500mJ/cm²以上则可以获得充足的汽体隔绝特性，倘若为10000mJ/cm²下列，则不容易使板材形变，可以产生光滑高朝的核心层。

此外，本产品的核心层甄选通过加温溫度为50℃～200℃的加温工艺流程产生。倘若加温溫度为50℃以上则可以获得充足的高阻隔，倘若为200℃下列则不容易使板材形变，可以产生光滑高朝的核心层。该加温工艺流程中可选用应用发热板、烘干箱、炉等的加温方式。此外，做为其加温氛围，可以是空气下、N2气氛、氩气瓶气氛、真空泵下、操纵了吸氧浓度的缓解压力低劣随意的标准。

比如，可以利用在产生第1隔绝层时涂膜的改性材料前的聚硅氮烷涂层上把硅氧烷涂层涂膜，对聚硅氮烷涂层和硅氧烷涂层与此同时直射真空泵紫外线后，执行100℃～250℃的加温解决，进而产生第1隔绝层和核心层。此外，可以利用在执行过真空泵紫外线直射解决的聚硅氮烷涂层上把硅氧烷涂层涂膜，对硅氧烷涂层执行真空泵紫外线直射解决后，执行100℃～250℃的加温解决，进而产生第1隔绝层和核心层。

如许，以用硅氧烷涂层(变成核心层)遮盖聚硅氮烷涂层(变成第1隔绝层)的情况执行100℃以上的加温解决时，可以避免因加温解决造成的内应力使第1隔绝层造成细微的裂开，可以使第1隔绝层的水蒸汽隔绝特性牢固。

〔珍惜层〕

本产品的汽体高阻隔膜可以在第2隔绝层的上方设定带有有机物的珍惜层。做为珍惜层中采用的有机物，可甄选应用有机化学单个、低聚物、高聚物等有机化学环氧树脂，应用具备有机化学官能团的二甲基硅氧烷、倍半二甲基硅氧烷的单个、低聚物、高聚物等的有机化学有机物光固化树脂层。

〔干躁层〕

本产品的汽体高阻隔膜可以具备干躁层(水份吸咐层)。做为作为干躁层的原材料，比如可列举氢氧化钙、有机化学氢氧化物等。做为氢氧化钙，甄选分散化在粘接剂环氧树脂等中的氢氧化钙，做为市售品，比如，可甄选应用Saesgetters企业的AqvaDry(商标注册)系列产品等。此外，做为有机化学氢氧化物，可应用双叶电子工业株式制的OleDry(商标注册)系列产品等。

〔光滑层(真皮层、面漆层)〕

本产品的汽体高阻隔膜可以在板材的具备隔绝层的面，甄选在板材与第1隔绝层中间具备光滑层(真皮层、面漆层)。光滑层是以便使存有凸起等的板材的毛糙面平整化或是为了更好地垃圾填埋因存有于板材的凸起而在隔绝层造成的凸凹、针眼使其平整化而设定的。如许的光滑层可以用随意的原材料产生，但甄选带有含碳量高聚物，更甄选由含碳量高聚物组成。即，甄选本产品的汽体高阻隔膜在板材与第1隔绝层中间进一步具备带有含碳量高聚物的光滑层。

此外，光滑层带有含碳量高聚物，甄选带有干固性环氧树脂。做为以上干固性环氧树脂，沒有格外限制，可列举对活力动能X射线干固性原材料等直射紫外光等活力动能X射线使其干固而得的生物动能X射线干固性环氧树脂、将热干固性原材料加温使其干固而得的热干固性环氧树脂等。该干固性环氧树脂可以直接应用或是组成2种以上应用。

做为用以产生光滑层的生物动能X射线干固性原材料，比如可列举带有丙烯酸树脂化学物质的组成物，带有丙烯酸树脂化学物质和含硫醇油的巯基化学物质的组成物，带有环氧丙烯酸酯、聚氨酯材料丙烯酸树脂、聚脂丙烯酸树脂、甲基丙烯酸酯丙烯酸树脂、聚乙二醇丙烯酸树脂、甲基丙烯酸甘油酯等多官能丙烯酸树脂聚合物的组成物等。详尽来讲，可应用JSR株式制的做为紫外光干固性原材料的有机化学/有机物杂合硬涂材OPSTAR(商标注册)系列产品(使二氧化硅颗粒与具备汇聚性不饱和脂肪官能团的有机物键合而成的化学物质)。此外，还可以应用如上所述的组成物的随意的混合物质，只需是带有在分子结构内具备1个以上光汇聚性不饱和键的反映性单个的生物动能X射线干固性原材料就沒有格外限制。

光滑层的产生方式沒有格外限制，甄选如下所示方式，将要带有干固性原材料的施胶液行驶旋涂法、喷漆法、刮板施胶法、浸渍法、胶版印刷法等湿试施胶法、或是蒸镀法等干试施胶法施胶而产生涂层后，根据由此可见光源、红外感应、紫外光、X射线、αX射线、βX射线、γX射线、离子束等活力动能X射线的直射和/或加温使以上涂层干固而产生。做为直射活力动能X射线的方式，比如可列举应用超高压汞灯、高压钠灯、低电压汞灯、碳弧、金属卤化物灯等直射甄选为100～400nm、更甄选为200～400nm的光波长地区的紫外光，或是直射从扫描式、帘式的离子束网络加速器传出的100nm之下的光波长地区的离子束的方式。

光滑层的平整性是由JIS B0601：2001中要求的外型表面粗糙度表露主要表现的值，较大横截面相对高度Rt(p)甄选为10nm～30nm。

外型表面粗糙度是应用AFM(原子力显微镜)，由用具备很小前面的半径触针的探测器持续测量而得的凸凹的横截面曲线图算出，行驶很小前面的半径的触针在测量方位为数十μm的范围内测量多次，与细微的凸凹的震幅相关的表面粗糙度。

做为光滑层的膜厚，沒有格外限制，甄选为0.1～10μm的范畴。

〔增粘镀层〕

出自于发展粘合性(密合性)的目地，可以在本产品的板材的外型产生增粘镀层做为易粘合层。做为该增粘镀层中采用的增粘涂剂，可以应用聚氨酯树脂、丙烯酸酯环氧树脂、聚氨酯胶粘剂、丙烯酸乳液、丁二烯·乙烯醇环氧树脂、甲基丙烯酸酯改性材料环氧树脂、环氧树脂胶、改性材料苯乙烯树脂、改性材料有机硅树脂及其钛酸甲基酯等中的1种或是并且用2种以上。以上增粘涂剂可以应用市售品。详尽来讲，可应用二甲基硅氧烷系UV固化性高聚物饱和溶液(信越化学工业生产株式制，“X-12-2400”的3％丙酮饱和溶液)。

还能够向这种增粘涂剂中加上一向至今公知的添加物。并且，以上的增粘涂剂可以行驶辊涂法、凹版印刷施胶法、刀涂法、浸涂法、喷漆法等公知的方式施胶在板材上，并干躁去除有机溶剂、油漆稀释剂等来开展施胶。做为以上的增粘涂剂的施胶量，甄选0.1～5g/m²(干躁情况)上下。应予表明，可应用市面上的带易粘合层的板材。

或是增粘镀层还可以行驶物理学蒸镀法或是有机化学蒸镀法这类的气相色谱法来产生。比如，如日本特开2008-142941号公布所记述，出自于改进粘合性等的目地，还能够产生以二氧化硅为核心的无机膜。

此外，增粘镀层的薄厚沒有格外限制，甄选为0.5～10μm上下。

〔防水层出层〕

本产品的汽体高阻隔膜可以进一步具备防水层出层。防水层出层是出自于抑制在加温具备光滑层的膜时未反映的低聚物等从板材中往外型迁移而环境污染触碰的面的迹象的效果而设定在具备光滑层的板材的反过来面。防水层出层只需具备该作用，则可以选用大部分与光滑层类同的组成。

做为防水层出层会含的化学物质，可列举在分子结构中具备2个以上汇聚性不饱和脂肪官能团的鞭毛抗原不饱和脂肪有机物或是在分子结构中具备1个汇聚性不饱和脂肪官能团的价格不饱和脂肪有机物等硬涂剂。

这儿，做为鞭毛抗原不饱和脂肪有机物，比如可列举乙二醇二(羟基)丙烯酸树脂、二乙二醇二(羟基)丙烯酸树脂、二(羟基)亚克力甘油酯、三(羟基)亚克力甘油酯、1,4-丁二醇二(羟基)丙烯酸树脂、1,6-己二醇二(羟基)丙烯酸树脂、新戊二醇二(羟基)丙烯酸树脂、三羟甲基丙烷三(羟基)丙烯酸树脂、二(羟基)亚克力二环戊酯、季戊四醇三(羟基)丙烯酸树脂、季戊四醇四(羟基)丙烯酸树脂、二季戊四醇六(羟基)丙烯酸树脂、二季戊四醇单甲基五(羟基)丙烯酸树脂、二(三羟甲基)丁烷四(羟基)丙烯酸树脂、二乙二醇二(羟基)丙烯酸树脂、聚乙二醇二(羟基)丙烯酸树脂、三丙二醇二(羟基)丙烯酸树脂、聚丙二醇二(羟基)丙烯酸树脂等。

此外，做为价格不饱和脂肪有机物，比如可列举(羟基)丙烯酸甲酯、(羟基)丙烯酸乙酯、(羟基)亚克力丙酯、(羟基)丙烯酸丁酯、(羟基)亚克力2-乙基己酯、(羟基)亚克力异癸酯、(羟基)亚克力月桂酯、(羟基)亚克力硬脂酯、(羟基)亚克力烯丙酯、(羟基)亚克力环己酯、(羟基)亚克力羟基环己酯、(羟基)亚克力异樟脑酯、(羟基)亚克力2-甲基乙酯、(羟基)亚克力2-甲基丙酯、(羟基)亚克力甘油酯、(羟基)亚克力出现缩水甘油酯、(羟基)亚克力苄酯、(羟基)亚克力2-乙氧基乙酯、(羟基)亚克力2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、(羟基)亚克力丁氧基乙酯、(羟基)亚克力2-叔丁基乙酯、叔丁基二乙二醇(羟基)丙烯酸树脂、叔丁基三乙二醇(羟基)丙烯酸树脂、叔丁基聚乙二醇(羟基)丙烯酸树脂、(羟基)亚克力2-叔丁基丙酯、叔丁基二丙二醇(羟基)丙烯酸树脂、叔丁基三丙二醇(羟基)丙烯酸树脂、叔丁基聚丙二醇(羟基)丙烯酸树脂、聚乙二醇(羟基)丙烯酸树脂、聚丙二醇(羟基)丙烯酸树脂等。

做为其他的添加物，可以带有消光剂。做为消光剂，甄选均值粒度为0.1～5μm以内的有机物颗粒。

做为如许的有机物颗粒，可以应用二氧化硅、三氧化二铝、长石、黏土、碳酸氢钙、硫酸钙、硫酸钡、氢氧化镁、二氧化钛、氧化锆陶瓷等中的1种或是并且用2种以上。

做为防水层出层的薄厚，甄选为1～10μm，更甄选为2～7μm。根据变成1μm以上，非常容易使做为膜的耐温性充足，根据变成10μm下列，非常容易调节光滑膜的电子光学特点的均衡，而且可以很容易地抑制在全透明高分子材料膜的一壁设定有光滑层时的隔绝膜的打卷。

《气体阻隔性膜的包装形态》

本产品的汽体高阻隔膜可以持续生产制造并放卷整卷的形状(说白了的卷对卷生产制造)。这时，甄选在产生有隔绝层的面迎合珍惜片后放卷。格外是将本产品的汽体高阻隔膜作为有机化学塑料薄膜机器设备的密封性材时，经常因粘附在外型的残渣(比如，颗粒物)而造成缺点，在洁净度等级高的场地迎合珍惜片而避免残渣的粘附是尤其很是有效的。与此同时，针对避免在放卷时引进的对隔绝层外型导致的损害是有效的。

做为珍惜片，沒有格外限定，可以运用在膜厚100μm以内的环氧树脂基材上授予弱黏合性的粘合层而成的组成的一样平时的“珍惜片”、“脱离片”。

〔电子产品〕

本产品的汽体高阻隔膜甄选用以因空气中的成分(氧、水、氮氧化合物、硫金属氧化物、活性氧等)造成特性劣变的机器设备。做为以上机器设备的事例，比如可列举有机EL元器件、液晶主要表现元器件(LCD)、塑料薄膜晶体三极管、触碰控制面板、电子墨水屏、太阳能电池板(PV)等电子产品。从更高效率地获得本产品的結果的思想观点考虑到，甄选应用有机EL元器件或是太阳能电池板，格外甄选应用有机EL元器件。

此外，本产品的汽体高阻隔膜可用以机器设备的膜密封性。即，将机器设备自身做为适用体，在其外型设定本产品的汽体高阻隔膜的方式。在设定汽体高阻隔膜前可以用珍惜层遮盖机器设备。

本产品的汽体高阻隔膜还能够作为机器设备的基材、用以根据固态密封性法的密封性的膜。固态密封性法就是指在机器设备上产生珍惜层后，重合粘结剂层、汽体高阻隔膜开展干固的方式。粘结剂沒有格外限制，可例示热干固性环氧树脂胶、光固化机性丙烯酸树脂环氧树脂等。

＜有机EL元器件＞

应用汽体高阻隔膜的有机EL元器件的实例在日本特开2007-30387号公布中有详尽记述。

＜液晶主要表现元器件＞

反射面型液晶主要表现安装具备从下向上先后自下基材、反射面电级、下趋向膜、液晶层、上趋向膜、全透明电级、上基材、λ/4板、及其偏光膜产生的组成。本产品的汽体高阻隔膜可以作为以上全透明电级基材和上基材。五颜六色主要表现时，甄选在反射面电级与下趋向膜中间或是在上趋向膜与全透明电级中间进一步设定正片叠底层。电子散射式液晶主要表现安装具备从下向上先后由屏线、偏振片、λ/4板、下全透明电级、下趋向膜、液晶层、上趋向膜、上全透明电级、上基材、λ/4板和偏光膜产生的组成。五颜六色主要表现时，甄选在下全透明电级与下趋向膜中间或是在上趋向膜与全透明电级中间进一步设定正片叠底层。液晶模块的类型沒有格外限定，更甄选为TN型(Twisted Nematic：歪曲向列)、STN型(Super Twisted Nematic：超歪曲向列)或是HAN型(Hybrid Aligned Nematic：混和排序向列)、VA型(Vertically Alignment：竖直趋向)、ECB型(Electrically Controlled Birefringence：电机控制双折射)、OCB型(Optically Compensated Bend：电子光学赔偿双折射)、IPS型(In-Plane Switching：平行面转换)、CPA型(Continuous Pinwheel Alignment：持续烟火状排序)。

＜太阳能电池板＞

本产品的汽体高阻隔膜可以作为太阳能电池板元器件的封口膜。这儿，本产品的汽体高阻隔膜甄选以隔绝层变成挨近太阳能电池板元器件的一侧的方法密封性。做为甄选应用本产品的汽体高阻隔膜的太阳能电池板元器件，沒有格外限制，比如可列举光伏电池系太阳能电池板元器件、多晶硅系太阳能电池板元器件、由单结型或是串连结构性等组成的非晶硅系太阳能电池板元器件、氮化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等III-V族氧化物半导体材料太阳能电池板元器件、碲化镉(CdTe)等II-VI族氧化物半导体材料太阳能电池板元器件、铜/铟/硒系(说白了的CIS系)、铜/铟/镓/硒系(说白了的CIGS系)、铜/铟/镓/硒/硫系(说白了的CIGSS系)等I-III-VI族氧化物半导体材料太阳能电池板元器件、黑色素敏化型太阳能电池板元器件、有机化学太阳能电池板元器件等。在其中，本产品中，以上太阳能电池板元器件甄选为铜/铟/硒系(说白了的CIS系)、铜/铟/镓/硒系(说白了的CIGS系)、铜/铟/镓/硒/硫系(说白了的CIGSS系)等I-III-VI族氧化物半导体材料太阳能电池板元器件。

＜其他＞

做为其他的运用例，可列举日本特表平10-512104号公布中记述的溥膜晶体三极管、日本特开平5-127822号公布、日本特开2002-48913号公布等中记述的触碰控制面板、日本特开2000-98326号公布中记述的电子墨水屏等。

＜电子光学构件＞

本产品的汽体高阻隔膜还可作为电子光学构件。做为电子光学构件的事例，可列举圆偏振片等。

(圆偏振片)

以本产品的汽体高阻隔膜为基材，并重叠λ/4板和偏振片，可以制做圆偏振片。这时，以λ/4板的迟相轴与偏振片的汲取轴三角形的重心的角为45°的方法重叠。如许的偏振片甄选应用在与长边方位(MD)呈45°的方位增加的偏振片，比如，甄选应用日本特开2002-865554号公布中记述的偏振片。

执行例

行驶下列的执行例和较为例对本产品的效果使用表明。可是，本产品的技术性范畴不仅限于下列的执行例。此外，执行例中选用“份”或是“％”的表述，只需沒有格外表明则表露主要表现“净重份”或是“净重％”。此外，以下实际操作中，只需沒有格外表明，则实际操作和物理性能等的测量在室内温度(20～25℃)/空气湿度40～50％的前提下开展。

〔第1隔绝层的产生(施胶法)〕

(带有聚硅氮烷的施胶液的制取)

将无金属催化剂的带有20净重％的全氢聚硅氮烷的二丁醚饱和溶液(AZ Electronic Materials株式制，AQUAMICA(商标注册)NN120-20)与带有胺金属催化剂(N,N,N’,N’-四羟基-1,6-二羟基己烷(TMDAH))的全氢聚硅氮烷20净重％的二丁醚饱和溶液(AZ Electronic Materials株式制，AQUAMICA(商标注册)NAX120-20)以4:1的比率混和，再用于二丁醚与2,2,4-三羟基戊烷的净重之比65:35的方法混和而成的有机溶剂，以施胶液的固态成份变成5净重％的方法稀释液制取施胶液。

将以上获得的施胶液用旋涂机在KIMOTO株式制的执行过全透明硬涂的PET板材(125μm厚)内以薄厚变成300nm的方法涂膜，置放2分鐘后，用80℃的发热板增加1分鐘开展加温解决，产生聚硅氮烷涂层。

产生聚硅氮烷涂层后，依照以下的方式，执行6000mJ/cm²的真空泵紫外线照射解决，产生第1隔绝层。

〈真空泵紫外线照射标准·直射动能的测量〉

真空泵紫外线照射应用图3中以平面图示出的安装开展。

图3中，21为安装腔室，从没图例的汽体供货口向內部适当供货氮和氧，并从没图例的汽体排出入口排气管，从而将水蒸汽从腔室內部本质上去除，可以将吸氧浓度保持在要求的浓度值。22为直射172nm的真空泵紫外光的具备防水套管构造的Xe准分子灯，23为兼作外界电级的准分子灯的支撑架。24为试件载台。试件载台24可以行驶未图例的挪动组织在安装腔室21内以规范的速率水准往返挪动。此外，试件载台24可行驶未图例的加温组织保持在要求的溫度。25为产生有聚硅氮烷涂层的试件。试件载台水准挪动时，以试件的涂覆层外型与准分子led灯管面的最短路线变成3mm的方法调节试件载台的相对高度。26为遮阳板，以促使在Xe准分子灯22的衰老中真空泵紫外线不照射试件的涂覆层。

真空泵紫外线照射工艺流程中照射涂层外型的动能应用Hamamatsu Photonics株式制的紫外光总计光量计：C8026/H8025UV POWER METER，应用172nm的感应器传感头测量。测按时，以Xe准分子led灯管面与感应器感测头的测量面的最短路线变成3mm的形式将感应器传感头设定在试件载台24正中间，而且以安装腔室21内的氛围变成与真空泵紫外线照射工艺流程类同的吸氧浓度的方法供货氮和氧，以0.5m/min的速率(图3的V)挪动试件载台24开展测量。在测量前，为了更好地使Xe准分子灯12的光照强度牢固，在Xe准分子灯照亮后设定10分鐘的衰老時间，厥后挪动试件载台而逐渐测量。

根据该测量获得的直射动能，根据调节试件载台的运动速率来调节为6000mJ/cm²的直射动能。应予表明，直射真空泵紫外光时，与测量直射动能时一样地在10分鐘的衰老后开展。

〔第1隔绝层的产生(等离子CVD法)〕

将KIMOTO株式制的执行了全透明硬涂的PET板材(125μm厚)安裝在图2一样的生产制造安装31上并运输。然后，在涂膜辊39与涂膜辊40中间另加电磁场，与此同时对涂膜辊39和涂膜辊40各自供货电力工程，而在涂膜辊39与涂膜辊40中间充放电而造成等离子。然后，对产生的充放电地区供货涂膜汽体(做为材料汽体的六羟基二二甲基硅氧烷(HMDSO)和做为反映混合气体的o2(还做为充放电汽体充分发挥作用)的混合气，在板材2上放等离子CVD法产生汽体高阻隔的塑料薄膜(第1隔绝层)，获得汽体高阻隔膜。第1隔绝层的薄厚为150nm。涂膜标准如下所示。

(涂膜标准)

材料汽体的供给量：50sccm(标况mL/分鐘，0℃，1个大气压力标准)

o2的供给量：500sccm(0℃，1个大气压力标准)

真内腔房间内的真空值：3Pa

来源于等离子造成用开关电源的另加电力工程：0.8kW

等离子造成用开关电源的工作频率：70kHz

膜的运输速率：1.0m/min。

(较为例1-1：汽体高阻隔膜1-1的制做)

做为板材，准备带硬镀层(核心层)的白色环氧树脂板材(KIMOTO株式制，带全透明硬镀层(CHC)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)。在该板材上立即只产生第2隔绝层。第2隔绝层根据如下所示方法产生，即用二丁醚将带有20净重％的全氢聚硅氮烷的二丁醚饱和溶液(AZ Electronic Materials株式制，AQUAMICA(商标注册)NN120-20)稀释液至5净重％的物质而制取施胶液后，应用该施胶液将聚硅氮烷涂层涂膜为薄厚150nm，厥后，在漏点0℃以6000mJ/cm²的直射量用与以上第1隔绝层的产生(施胶法)类同的办法执行真空泵紫外线照射解决，产生第2隔绝层。从而做成汽体高阻隔膜1-1。

(较为例1-2：汽体高阻隔膜1-2的制做)

以相对性于全氢聚硅氮烷为1净重％的量添加做为胺金属催化剂的N,N,N’,N’-四羟基-1,6-二羟基己烷(TMDAH)，而且使紫外线照射解决时的漏点为-30℃，此外，与较为例1-1一样地开展，产生第2隔绝层。从而做成汽体高阻隔膜1-2。

(较为例1-3：汽体高阻隔膜1-3的制做)

做为板材，准备带硬镀层(核心层)的白色环氧树脂板材(KIMOTO株式制，带全透明硬镀层(CHC)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)。行驶以上“第1隔绝层的产生(施胶法)”在该板材上产生第1隔绝层。厥后，用与较为例1-1一样的方式在第1隔绝层上产生第2隔绝层，做成汽体高阻隔膜1-3。

(较为例1-4：汽体高阻隔膜1-4的制做)

做为板材，准备带硬镀层(核心层)的白色环氧树脂板材(KIMOTO株式制，带全透明硬镀层(CHC)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)。行驶以上“第1隔绝层的产生(施胶法)”在该板材上产生第1隔绝层。厥后，用与较为例1-2一样的方式在第1隔绝层上产生第2隔绝层，做成汽体高阻隔膜1-4。

(较为例1-5：汽体高阻隔膜1-5的制做)

做为板材，准备带硬镀层(核心层)的白色环氧树脂板材(KIMOTO株式制，带全透明硬镀层(CHC)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)。行驶以上“第1隔绝层的产生(等离子CVD法)”在该板材上产生第1隔绝层。厥后，用与较为例1-1一样的方式在第1隔绝层上产生第2隔绝层，做成汽体高阻隔膜1-5。

(较为例1-6：汽体高阻隔膜1-6的制做)

做为板材，准备带硬镀层(核心层)的白色环氧树脂板材(KIMOTO株式制，带全透明硬镀层(CHC)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)。行驶以上“第1隔绝层的产生(等离子CVD法)”在该板材上产生第1隔绝层。厥后，用与较为例1-2一样的方式在第1隔绝层上产生第2隔绝层，做成汽体高阻隔膜1-6。

(较为例1-7：汽体高阻隔膜1-7的制做)

如下所示产生第2隔绝层，此外，与较为例1-6一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-7。

用二丁醚将带有20净重％的全氢聚硅氮烷的二丁醚饱和溶液(AZ Electronic Materials株式制，AQUAMICA(商标注册)NN120-20)稀释液至5净重％后，以相对性于全氢聚硅氮烷为1净重％的量添加做为胺金属催化剂的N,N,N’,N’-四羟基-1,6-二羟基己烷(TMDAH)，进一步以相对性于全氢聚硅氮烷为5净重％的量添加水，制取施胶液。应用该施胶液将聚硅氮烷涂层涂膜为薄厚150nm，厥后，在漏点-30℃下为6000mJ/cm²的直射量，用与以上第1隔绝层的产生(施胶法)一样的办法执行真空泵紫外线照射解决，产生第2隔绝层。

(执行例1-1：汽体高阻隔膜1-8的制做)

将水的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为10净重％的量，此外，，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-8。

(较为例1-8：汽体高阻隔膜1-9的制做)

替代水而将工业甲醇(关东有机化学株式制，鹿1级)以相对性于全氢聚硅氮烷为1净重％的量添加到施胶液中，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-9。

(执行例1-2：汽体高阻隔膜1-10的制做)

将工业甲醇的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为5净重％的量，此外，与较为例1-8一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-10。

(执行例1-3：汽体高阻隔膜1-11的制做)

将工业甲醇的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为10净重％，此外，与较为例1-8一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-11。

(较为例1-9：汽体高阻隔膜1-12的制做)

替代水而将ALCH(Kawaken Fine Chemicals株式制，乙酰乙酸乙酯·二异丙醇铝)以相对性于全氢聚硅氮烷为1净重％的量添加到施胶液中，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-12。

(执行例1-4：汽体高阻隔膜1-13的制做)

将ALCH的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为2净重％的量，此外，与较为例1-9一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-13。

(执行例1-5：汽体高阻隔膜1-14的制做)

将ALCH的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为4净重％，此外，与较为例1-9一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-14。

(执行例1-6：汽体高阻隔膜1-15的制做)

替代水而将AMD(Kawaken Fine Chemicals株式制，单仲丁醇二异丙醇铝)以相对性于全氢聚硅氮烷为1净重％的量添加到施胶液中，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-15。

(执行例1-7：汽体高阻隔膜1-16的制做)

将AMD的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为2净重％的量，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-16。

(执行例1-8：汽体高阻隔膜1-17的制做)

将AMD的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为4净重％的量，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-17。

(较为例1-10：汽体高阻隔膜1-18的制做)

替代水而将X-40-9225(信越化学工业生产株式制，在分子结构尾端具备烷氧基甲硅烷基的聚羟基倍半二甲基硅氧烷化合物)以相对性于全氢聚硅氮烷为1净重％的量添加到施胶液中，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-18。

(执行例1-9：汽体高阻隔膜1-19的制做)

将X-40-9225的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为2净重％的量，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-19。

(执行例1-10：汽体高阻隔膜1-20的制做)

将X-40-9225的量变动成相对性于全氢聚硅氮烷为4净重％的量，此外，与较为例1-7一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-20。

(较为例1-11：汽体高阻隔膜1-21的制做)

如下所示上述地产生第1隔绝层，此外，与较为例1-9一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-21。

〔第1隔绝层的产生(磁控溅射法)〕

将带硬镀层(核心层)的白色环氧树脂板材(KIMOTO株式制，带全透明硬镀层(CHC)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜)安裝在ULVAC株式制磁控溅射安装的真空泵槽体，真空包装至10^-4Pa，导进以分压记为0.5Pa的氩做为充放电汽体。在氛围工作压力牢固后逐渐充放电，在二氧化硅(SiO_x)靶上造成等离子，逐渐磁控溅射加工工艺。加工工艺牢固后开启隔板逐渐在膜上产生二氧化硅膜(SiO_x)。沉积100nm的膜后关掉隔板而完毕涂膜，产生第1隔绝层。

(执行例1-11：汽体高阻隔膜1-22的制做)

用以上“第1隔绝层的产生(磁控溅射法)”的方式产生第1隔绝层，此外，与使用例1-5一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-22。

(执行例1-12：汽体高阻隔膜1-23的制做)

用以上“第1隔绝层的产生(磁控溅射法)”的方式产生第1隔绝层，此外，与使用例1-6一样地开展，做成汽体高阻隔膜1-23。

《膜组成元素比的评价(O/Si和N/Si的深度方向的曲线》

行驶下列的安装和标准，对以上做成的汽体高阻隔膜的第2隔绝层由深层方位的曲线图的均值算出O/Si和N/Si，并示于表1。

(磁控溅射标准)

正离子种：Ar正离子

加快工作电压：1kV

(X射线光电子能谱测量标准)

安装：VG Scientific公司制ESCALAB-200R

X射线阳极氧化原材料：Mg

功率：600W(加快工作电压15kV，发射极电流量40mA)。

应予表明，测量的屏幕分辨率为0.5nm，在与其说相应的各抽样点，将各原素比成图而得。

(FIB生产加工)

安装：SII制SMI2050

生产加工正离子：(Ga 30kV)

(TEM观查)

安装：日本电子器件制JEM2000FX(加快工作电压：200kV)

离子束直射時间：5秒～60秒

(距第2隔绝层外型的膜厚的深层方位的原素比)

对比距以上的第2隔绝层外型的根据磁控溅射而得的各深层的XPS测量(紧紧围绕Si、O、N)和行驶TEM观查断块面而得的实际效果，测算O/Si和N/Si的均值。

此外，与以上一样地开展，测量在距最外型的深层为10nm之内的地区中的氧分子相对性于硅原子的存有比的均值(表1中的“外型O/Si”的栏)、在距最外型的深层超出10nm的地区中的氧分子相对性于硅原子的存有比的均值(表1中的“內部O/Si”的栏)、在距最外型的深层为10nm之内的地区中的氮原子相对性于硅原子的存有比的均值(表1中的“外型N/Si”的栏)及其在距最外型的深层超出10nm的地区中的氮原子相对性于硅原子的存有比的均值(表1中的“內部N/Si”的栏)。此外，测算在距最外型的深层为10nm之内的地区中的氧分子相对性于硅原子的存有比的均值与在距最外型的深层超出10nm的地区中的氧分子相对性于硅原子的存有比的均值的差(表1中的“外型內部O/Si差”的栏)。

《水蒸气阻隔性的评价》

各自准备将以上制做的汽体高阻隔膜在85℃、85％RH的高溫高低温下曝露1000hr后的试品(劣变实验后试品)。

水蒸汽高阻隔的点评如下所示开展，将要80nm厚的金属钙在汽体高阻隔膜上蒸镀制膜，将制膜的钙做到50％的总面积的時间做为50％总面积時间来开展点评(参考以下)。点评劣变实验前后左右的50％总面积時间，将劣化实验后的50％总面积時间/劣变实验前的50％总面积時间做为维持率(％)算出，示于表1。做为维持率的指标值，只需为70％以上就批准，小于70％则分辨为不适宜。

(金属钙制膜安装)

蒸镀安装：日本电子器件株式制，真空泵蒸镀安装JEE-400

恒温恒湿设备烘干箱：Yamato Humidic ChamberIG47M

(原料)

与水份反映而浸蚀的金属材料：钙(颗粒状)

水蒸汽不通过性的金属材料：铝(φ3～5mm，颗粒状)

(水蒸汽高阻隔点评试件的制做)

应用真空泵蒸镀安装(日本电子器件制真空泵蒸镀安装JEE-400)，在制造的汽体隔绝膜的第2隔绝层外型根据掩膜以12mm×12mm的规格蒸镀金属钙。这时，使蒸表层的镀膜厚变成80nm。

厥后，在真空泵情况下去除掩膜，在片一侧整块蒸镀铝膜并临时性密封性。然后，消除真空泵情况，灵巧挪到干躁N2氛围下，在铝蒸镀面介由密封性用紫外光干固环氧树脂(Nagase Chemtex株式制)迎合薄厚0.2mm的石英玻璃管，直射紫外光使环氧树脂干固粘合后宣布密封性，做成水蒸汽高阻隔点评试件。

将获得的试件在85℃、85％RH的高溫高低温下储存，观查金属钙相对性于储存時间开展浸蚀的模样。依据观查实际效果根据平行线内插求出相对性于12mm×12mm的金属钙蒸镀总面积的金属钙浸蚀的总面积做到50％的時间，将劣化实验前后左右实际效果示于表1。

将各执行例和各较为例的汽体高阻隔膜的点评实际效果示于以下表1。

由以上表1得知行驶本产品的执行例制做的汽体高阻隔膜就算在高溫高低温下曝露长期也几乎不产生构成变化引发的汽体高阻隔的减少。

因而，由以上表1得知本产品的汽体高阻隔膜的储存牢固性、特别是在在严苛标准(高溫高低温标准)下的储存牢固性出色。

应予表明，本产品的第2隔绝层中，测量距第2隔绝层外型的根据磁控溅射(XPS)而得的各深层方位的随意点，O/Si均为1.4～2.2，N/Si均为0～0.4。

《有机薄膜电子设备的制作》

应用汽体高阻隔膜1-1～1-23做为密封性膜，做成做为有机化学塑料薄膜电子产品的有机EL元器件。

〔有机EL元器件的制做〕

(第1电级层的产生)

在各汽体高阻隔膜的第2隔绝层上，行驶磁控溅射法将薄厚150nm的ITO(氧化铟锡)涂膜，行驶光刻法开展图案化，产生第1电级层。应予表明，图案设计是闪光总面积为50mm平方米的图案设计。

(空穴运输层的产生)

用挤压丝网印刷机在25℃、空气湿度50％RH的条件下，在产生有第1电级层的各汽体高阻隔膜的第1电级层上施胶下列所显示的空穴运输层产生用施胶液后，依照以下的标准开展干躁和加温解决，产生空穴运输层。空穴运输层产生用施胶液以干躁后的薄厚变成50nm的方法施胶。

在施胶空穴运输层产生用施胶液以前，应用光波长184.9nm的低电压汞灯以直射抗压强度15mW/cm²、间距10mm执行高阻隔膜的清理外型改性材料解决。消除静电解决应用行驶欠缺X射线的除家用电器开展。

〈空穴运输层产生用施胶液的准备〉

准备将聚亚乙基二氧基噻吩·聚乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS，Bayer公司化Bytron P AI 4083)用纯净水65％、工业甲醇5％稀释液而得的饱和溶液做为空穴运输层产生用施胶液。

〈干躁和加温解决标准〉

施胶空穴运输层产生用施胶液后，房屋朝向涂膜面以相对高度100mm、喷出来风力1m/s、总宽的风力遍布5％、溫度100℃去除有机溶剂后，承继应用加温解决安装以溫度150℃开展反面传热方法的热处理工艺，产生空穴运输层。

(闪光层的产生)

用挤压丝网印刷机在以上产生的空穴运输层上以以下的标准施胶下列所显示的乳白色闪光层产生用施胶液后，以以下的标准开展干躁和加温解决，产生闪光层。乳白色闪光层产生用施胶液以干躁后的薄厚变成40nm的方法施胶。

〈乳白色闪光层产生用施胶液〉

使做为主要原材料的以下化学方程式H-A表露主要表现的化学物质1.0g和做为掺杂剂原材料的以下化学方程式D-A表露主要表现的化学物质100mg、做为掺杂剂原材料的以下化学方程式D-B表露主要表现的化学物质0.2mg及其做为掺杂剂原材料的以下化学方程式D-C表露主要表现的化学物质0.2mg消溶于100g的二甲苯而做为乳白色闪光层产生用施胶液准备。

〈施胶标准〉

在N2浓度值99％以上的氛围下，使施胶溫度为25℃，以施胶速率1m/min开展施胶工艺流程。

〈干躁和加温解决标准〉

施胶乳白色闪光层产生用施胶液后，房屋朝向涂膜面以相对高度100mm、喷出来风力1m/s、总宽的风力遍布5％、溫度60℃去除有机溶剂后，承继以溫度130℃开展加温解决，产生闪光层。

(电子器件运输层的产生)

用挤压丝网印刷机在以上产生的闪光层上以以下的标准施胶下列所显示的电子器件运输层产生用施胶液后，以以下的标准开展干躁和加温解决，产生电子器件运输层。电子器件运输层产生用施胶液以干躁后的薄厚变成30nm的方法施胶。

〈施胶标准〉

施胶工艺流程是在N2浓度值99％以上的氛围下，使电子器件运输层产生用施胶液的施胶溫度为25℃，以施胶速率1m/min开展的。

〈电子器件运输层产生用施胶液〉

电子器件运输层是将以下化学方程式E-A表露主要表现的化学物质消溶于2,2,3,3-四氟-1-丙醇中而做成0.5净重％饱和溶液，做为电子器件运输层产生用施胶液。

〈干躁和加温解决标准〉

施胶电子器件运输层产生用施胶液后，房屋朝向涂膜面以相对高度100mm、喷出来风力1m/s、总宽的风力遍布5％、溫度60℃去除有机溶剂后，承继在加温解决部以溫度200℃开展加温解决，产生电子器件运输层。

(电子器件引入层的产生)

在以上产生的电子器件运输层上产生电子器件引入层。最先，将基材资金投入缓解压力腔室，缓解压力至5×10^-4Pa。事先在真内腔室里将事先在钽制蒸镀舟皿中准备的氟化铯加温，产生薄厚3nm的电子器件引入层。

(第2电级的产生)

在以上产生的电子器件引入层上但不包括第1电级22的变成引出来电级的一部分的一部分，在5×10^-4Pa的真空泵下，应用铝做为第2电级产生原材料，以具备取出电级的方法用蒸镀法以闪光总面积变成50mm平方米的形式开展掩膜图案设计涂膜，重叠薄厚100nm的第2电级。

(剪裁)

将如下所示产生到第2电级才行的各重叠体再度挪到N2气氛下，应用紫外光激光器剪裁成要求的尺寸，做成有机EL元器件。

(电级导线联接)

应用Sony Chemical&Information Device株式制的各种各样导电膜DP3232S9，将制做的有机EL元器件与挠性包装印刷基材(基膜：聚丙烯腈12.5μm，冷轧铜泊18μm，覆盖：聚丙烯腈12.5μm，外型解决：镀NiAu)联接。

铆压标准：以溫度170℃(应用此外的热电阻测量的ACF溫度140℃)、工作压力2MPa，开展10秒压接。

(密封性)

做为密封性构件，准备如下所示制做的密封性构件，即，应用干试压层用的粘结剂(二液反映型的聚氨酯材料系粘结剂)在30μm厚的铝铂(东方铝株式制)顶层压(粘结剂层的薄厚1.5μm)聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(12μm厚)。

在准备的密封性构件的铝面应用调节器沿铝铂的粘合面(光泽度面)以薄厚20μm匀称地施胶热干固性粘结剂，产生粘结剂层。

这时，做为热干固性粘结剂，应用带有下列成份的环氧树脂系粘结剂。

双酚A二出现缩水甘油醚(DGEBA)、双氰胺(DICY)、环氧树脂加持物系干固硫化促进剂。

将密封性构件以遮盖引出来电级和电级导线的结合部的形式开展密合·配备，应用压接辊以铆压标准、压接辊溫度120℃、工作压力0.5MPa、安装速率0.3m/min开展密合密封性。

《有机EL元件的评价》

依照以下的方式，对以上制做的有机EL元器件开展耐用性的点评。

〔耐用性的点评〕

(加快劣变解决)

将以上制做的各有机EL元器件在85℃、85％RH的条件下执行500分钟的加快劣变解决后，开展以下的有关暗斑的点评。

(暗斑(DS、小黑点)的点评)

对执行了加快劣变解决的有机EL元器件另加1mA/cm²的电流量，使其持续闪光24小时后，用100倍的光学显微镜(MORITEX株式制MS-804，镜片MP-ZE25-200)将控制面板的一部分变大，开展拍照。将拍照图象切割成相当于2mm厚为的规格，求出暗斑的造成总面积比例，依照以下的标准点评耐用性。倘若点评级别为△则判断为食用的特点，倘若为○则判断为更适用的特点，倘若为◎则判断为压根沒有题型的甄选的特点。

◎：暗斑造成率小于0.3％

○：暗斑造成率是0.3％以上且小于1.0％

△：暗斑造成率是1.0％以上且小于2.0％

×：暗斑造成率是2.0％以上且小于5.0％

××：暗斑造成率是5.0％以上。

将暗斑的点评实际效果示于以下表2。

[表2]

 有机EL元器件膜No.DS点评较为例1-12-11-1××较为例1-22-21-2××较为例1-32-31-3××较为例1-42-41-4××较为例1-52-51-5××较为例1-62-61-6×较为例1-72-71-7×执行例1-12-81-8△较为例1-82-91-9×执行例1-22-101-10△执行例1-32-111-11△较为例1-92-121-12×执行例1-42-131-13○执行例1-52-141-14◎执行例1-62-151-15○执行例1-72-161-16◎执行例1-82-171-17○较为例1-102-181-18×执行例1-92-191-19△执行例1-102-201-20△较为例1-112-211-21×执行例1-112-221-22○执行例1-122-231-23◎

由以上表2得知，根据将行驶本产品的执行例制做的汽体高阻隔膜作为有机EL元器件的封口膜，进而具备减少暗斑造成的結果，具备尤其很是高的汽体高阻隔。

应予表明，本申请办理根据2013年1月31日申请办理的日本国申请专利第2013-017257号，参考其公布內容并团队引入。

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